【技术实现步骤摘要】
201610173911
【技术保护点】
一种控制多晶硅栅极关键尺寸均匀性的方法，其特征在于包括：第一步骤：建立密封的反应腔体内的托盘的表面的各个距离处，反应腔侧壁上生成的SiO2Cl4析出的氧离子浓度与反应腔侧壁使用时数之间的第一关系；第二步骤：建立氧离子浓度和关键尺寸的第二关系；第三步骤：利用化学气相沉积在反应腔侧壁上生成预定厚度的SiO2Cl4；第四步骤：将晶圆置于托盘之上；第五步骤：根据建立的所述第一关系和所述第二关系，基于期望得到的多晶硅栅极尺寸以及使用的反应腔的反应腔侧壁使用时数，设置反应腔体内的托盘的不同区域的温度；第六步骤：在设置的温度下，对晶圆进行多晶硅刻蚀。
【技术特征摘要】
1.一种控制多晶硅栅极关键尺寸均匀性的方法，其特征在于包括：
第一步骤：建立密封的反应腔体内的托盘的表面的各个距离处，反应腔侧壁上生成的SiO2Cl4析出的氧离子浓度与反应腔侧壁使用时数之间的第一关系；
第二步骤：建立氧离子浓度和关键尺寸的第二关系；
第三步骤：利用化学气相沉积在反应腔侧壁上生成预定厚度的SiO2Cl4；
第四步骤：将晶圆置于托盘之上；
第五步骤：根据建立的所述第一关系和所述第二关系，基于期望得到的多晶硅栅极尺寸以及使用的反应腔的反应腔侧壁使用时数，设置反应腔体内的托盘的不同区域的温度；
第六步骤：在设置的温度下，对晶圆进行多晶硅刻蚀。
2.根据权利要求1所述的控制多晶硅栅极关键尺寸均匀性的方法，其特征在于，在第一步骤中，通过数据采集建立所述关系。
3.根据权利要求1或2所述的控制多晶硅栅极关键尺寸均匀性的方法，其特征在于，所述关系反映了不同反应腔侧壁使用时数下，多晶硅...
【专利技术属性】
技术研发人员：许进，唐在峰，陈敏杰，任昱，吕煜坤，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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