【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种制作半导体元件的方法，包含：提供一基底，该基底上设有一栅极结构；以及形成一第一外延层、一第二外延层以及一硅化金属层于邻近该栅极结构的该基底中，其中该第一外延层、该第二外延层及该硅化金属层包含硅锗锡的合金。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王蓝翔，廖鸿，蒋超，廖端泉，李叶超，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
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