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半导体元件及其制作方法技术
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文档序号:13342879
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本发明公开一种半导体元件及其制作方法。首先提供一基底,该基底上设有一栅极结构,然后形成一第一外延层、一第二外延层以及一硅化金属层于邻近该栅极结构的该基底中,其中该第一外延层、该第二外延层及该硅化金属层包含硅锗锡的合金。...
该专利属于联华电子股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过联华电子股份有限公司授权不得商用。
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