【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种栅极的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括以下步骤：在半导体基体上形成预栅极；对所述预栅极进行扩散掺杂处理，以形成所述栅极。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：董金珠，宋化龙，蒲月皎，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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