使用化学剥离方法的III族氮化物基板的制备方法技术

本发明专利技术具体例中公开的非极性或半极性Ⅲ族氮化物层，可用于各种电子元件的基板上，不仅可以缓解或消除现有极性Ⅲ族氮化物基板的问题，而且可以通过化学剥离方法制备。

【技术实现步骤摘要】
201610008741

【技术保护点】
一种Ⅲ族氮化物基板的制备方法，其特征在于，其包括以下步骤：a)在提供非极性或半极性外延生长层生长表面的基板上形成第一Ⅲ族氮化物层；b)通过横向生长方式，在所述第一Ⅲ族氮化物层上形成内部形成有1或2个以上截面为三角形的空穴的第二Ⅲ族氮化物层；c)在所述第二Ⅲ族氮化物层上形成第三Ⅲ族氮化物层；及d)对所述第二Ⅲ族氮化物层的至少一部分厚度实施化学蚀刻，得到分离的第三Ⅲ族氮化物层；且所述空穴里面的至少一个区域表现出N‑极性，所处步骤b)包括以下步骤：在所述第一Ⅲ族氮化物层上形成图案化的屏蔽层；及在形成有所述图案化的屏蔽层的第一Ⅲ族氮化物层上形成Ⅲ族氮化物层，并且所述空穴随屏蔽图案连续地形成。

【技术特征摘要】
2010.11.08 KR 10-2010-01105171.一种Ⅲ族氮化物基板的制备方法，其特征在于，其包括以下
步骤：a)在提供非极性或半极性外延生长层生长表面的基板上形成
第一Ⅲ族氮化物层；b)通过横向生长方式，在所述第一Ⅲ族氮化物
层上形成内部形成有1或2个以上截面为三角形的空穴的第二Ⅲ族氮
化物层；c)在所述第二Ⅲ族氮化物层上形成第三Ⅲ族氮化物层；及
d)对所述第二Ⅲ族氮化物层的至少一部分厚度实施化学蚀刻，得到
分离的第三Ⅲ族氮化物层；且所述空穴里面的至少一个区域表现出N
-极性，所处步骤b)包括以下步骤：在所述第一Ⅲ族氮化物层上形成
图案化的屏蔽层；及在形成有所述图案化的屏蔽层的第一Ⅲ族氮化物
层上形成Ⅲ族氮化物层，并且所述空穴随屏蔽图案连续地形成。
2.根据权利要求1所述的Ⅲ族氮化物基板的制备方法，其特征
在于，提供所述非极性或半极性外延生长层生长表面的基板为m-面
蓝宝石基板。
3.根据权利要求1所述的Ⅲ族氮化物基板的制备方法，其特征
在于，所述第一Ⅲ族氮化物层为(11-22)...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱秦佑，白宗协，朴炯兆，李尚宪，丁铎，金孳姢，吴和燮，郑泰勳，金润硕，田大祐，
申请(专利权)人：韩国光技术院，
类型：发明
国别省市：韩国;KR