用于使表面平坦化的组合物及方法技术

本发明专利技术提供用于平坦化或抛光表面的组合物及方法。一种组合物包含0.01重量%至20重量%的α-氧化铝颗粒，其中所述α-氧化铝颗粒具有200nm或更小的平均直径，且80%的所述α-氧化铝颗粒具有500nm或更小的直径；有机酸；腐蚀抑制剂；及水。另一组合物包含α-氧化铝颗粒；有机酸；三唑和苯并三唑的双重腐蚀抑制剂，其中三唑与苯并三唑的重量百分比之比为0.1至4.8；及水。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种化学-机械抛光组合物及使用其抛光基板的方法。
技术介绍
用于平坦化或抛光基板表面的组合物及方法在本领域中已为人所熟知。抛光浆料通常含有在水溶液中的研磨材料，且通过使表面与经浆料组合物饱和的抛光垫接触而施用至该表面上。在使半导体晶片中的铜层平坦化方面，常规的抛光组合物通常不完全令人满意。为满足工业需求，使用具有高的抛光效率及移除速率且得到具有最小表面缺陷的高质量抛光的抛光组合物是重要的。然而，用于铜的现有技术抛光浆料可具有小于合意的抛光速率的抛光速率，不能满足生产量需求。一种增加铜层的抛光速率的方法是使用更具腐蚀性的研磨剂，诸如氧化铝颗粒。已有若干类型的氧化铝，包括α-氧化铝、Y-氧化铝及Θ-氧化铝。Y-氧化铝及Θ-氧化铝用于抛光铜在本领域中已为人所熟知。参见，例如，美国专利6，521，574及美国专利6，436，811。然而，α-氧化铝颗粒(氧化铝颗粒的最具侵蚀性的类型)通常用于抛光诸如贵金属的较不易受刮擦的较坚硬基板。参见美国专利申请公布2002/0111027Α1。已使用多种策略以通过利用α-氧化铝以获得高的移除速率并同时使刮擦及侵蚀(erosion)最小化。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于抛光在表面上具有含铜膜的基板的化学?机械抛光组合物，其包含：(a)0.01重量%至20重量%的α?氧化铝颗粒，其中所述α?氧化铝颗粒具有100nm或更小的平均直径，且90%的所述α?氧化铝颗粒具有200nm或更小的直径；(b)有机酸，其中所述有机酸选自丙二酸、丁二酸、己二酸、乳酸、苹果酸、柠檬酸、甘氨酸、天冬氨酸、酒石酸、葡萄糖酸、亚氨基二乙酸及反丁烯二酸；(c)腐蚀抑制剂，其中该腐蚀抑制剂为三唑和苯并三唑的混合物，且具有三唑与苯并三唑的重量百分比之比为0.1至4.4；及(d)水，其中所述抛光组合物具有4?14的pH。

【技术特征摘要】
2005.09.30 US 11/241,1371.一种用于抛光在表面上具有含铜膜的基板的化学-机械抛光组合物，其包含: (a)0.0l重量％至20重量％的α -氧化铝颗粒，其中所述α -氧化铝颗粒具有IOOnm或更小的平均直径，且90%的所述α -氧化铝颗粒具有200nm或更小的直径； (b)有机酸，其中所述有机酸选自丙二酸、丁二酸、己二酸、乳酸、苹果酸、柠檬酸、甘氨酸、天冬氨酸、酒石酸、葡萄糖酸、亚氨基二乙酸及反丁烯二酸； (C)腐蚀抑制剂，其中该腐蚀抑制剂为三唑和苯并三唑的混合物，且具有三唑与苯并三唑的重量百分比之比为0.1至4.4 ;及 (d)水， 其中所述抛光组合物具有4-14的pH。2.一种化学-机械抛光在表面上具有含铜膜的基板的方...

【专利技术属性】
技术研发人员：王育群，贾森阿吉奥，陆斌，约翰帕克，周仁杰，
申请(专利权)人：卡伯特微电子公司，
类型：发明
国别省市：