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本发明公开一种平坦化半导体装置的方法，包括以下步骤。提供一基板，其上方形成一终止层。形成一沟槽，在该基板中。沉积一第一半导体层，均匀覆盖该终止层以及该沟槽。沉积一第二半导体层，填满该沟槽并且覆盖该第一半导体层。进行一化学机械研磨程序，直到该...
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