【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于电子器件测试领域，主要应用于测量半导体器件在不同温度下的电压-电流曲线，通过统计拟合建立半导体器件温度-电压-电流三维校温曲线数据库。
技术介绍
半导体器件结温作为半导体器件可靠性方面的重要参数，准确、快速测量结温对科研、工程方面具有重要意义。传统的半导体器件结温的测量通过器件手册上的热阻数值，根据公式进行计算，或者根据传统的校温曲线，测量器件两端的单一数据，例如电压或电流，来确定器件结温。前者由于即便是同一种型号的半导体器件，其热阻数值也因为个体的不同而有很大差异，同时热阻并不是一个单一，稳定的数值，其大小随工作环境、电应力等不同而发生改变，因此所得结温并不准确；后者虽准确性较第一种有所提高，但由于校温曲线是二维曲线，只能通过电压和电流的其中一种作为温敏参数判断温度，而半导体器件在同一电流下工作时，其温度有很大变化，因此也不能满足工作需求。
技术实现思路
本专利技术旨在提出一种半导体器件温度-电压-电流三维校温曲线数据库的建立方法。相较于传统的通过二维校温曲线确定结温的方法，本方法不再使用单一的电压或电流作为温敏参数，而是同时测量半导体器件在不同温度...
【技术保护点】
一种半导体器件在浪涌电流条件下的结温测量方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一，将待测半导体器件(1)与脉冲发生器(4)相连，将待测半导体器件(1)与数据采集仪器(5)相连，并将待测半导体器件(1)放入温箱(2)，利用温箱(2)对待测半导体器件(1)进行加热；步骤二，当待测半导体器件(1)温度稳定到温箱(2)所设定的温度并经过了5‑10min以后，利用脉冲发生器(4)给待测半导体器件(1)施加电压递增的不产生自升温的短脉冲，期间脉冲发生器(4)由程控电源(3)供电，并通过数据采集仪器(5)测量半导体器件两端的电压、电流数据；该处短脉冲的宽度按照国军标128A‑1997中的规...
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件在浪涌电流条件下的结温测量方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一，将待测半导体器件(1)与脉冲发生器(4)相连，将待测半导体器件(1)与数据采集仪器(5)相连，并将待测半导体器件(1)放入温箱(2)，利用温箱(2)对待测半导体器件(1)进行加热；步骤二，当待测半导体器件(1)温度稳定到温箱(2)所设定的温度并经过了5-10min以后，利用脉冲发生器(4)给待测半导体器件(1)施加电压递增的不产生自升温的短脉冲，期间脉冲...
【专利技术属性】
技术研发人员：郭春生，苏雅，廖之恒，冯士维，朱慧，
申请(专利权)人：北京工业大学，
类型：发明
国别省市：北京;11
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。