【技术实现步骤摘要】
本技术涉及电流源,尤其涉及到与电源电压无关的电流源。
技术介绍
为了得到不随电源电压变化而变化的输出电流,设计了与电源电压无关的电流源。
技术实现思路
本技术旨在提供一种与电源电压无关的电流源。与电源电压无关的电流源,包括第一电阻、第一 NMOS管、第二电阻、第二 NMOS管、第一 PMOS管和第二 PMOS管:所述第一电阻的一端接电源电压VCC,另一端接所述第一 NMOS管的漏极和所述第二 NMOS管的栅极;所述第一 NMOS管的栅极接所述第二电阻的一端和所述第二 NMOS管的源极,漏极接所述第一电阻的一端和所述第二 NMOS管的栅极,源极接地;所述第二电阻的一端接所述第一 NMOS管的栅极和所述第二 NMOS管的源极,另一端接地;所述第二 NMOS管的栅极接所述第一电阻的一端和所述第一 NMOS管的漏极,漏极接所述第一 PMOS管的栅极和漏极和所述第二 PMOS管的栅极,源极接所述第一 NMOS管的栅极和所述第二电阻的一端;所述第一 PMOS管的栅极和漏极接在一起并接所述第二 PMOS管的栅极和所述第二NMOS管的漏极,源极接电源电压VCC ;所述第二 PMOS管的栅极接所述第二 NMOS管的漏极和所述第一 PMOS管的栅极和漏极,漏极作为输出电流端10UT,源极接电源电压VCC。所述第一电阻和所述第二 NMOS管组成启动电路;所述第二电阻上的电压为所述第一 NMOS管的阈值电压,所述第一 NMOS管的阈值电压是不随电源电压VCC变化的,所述第二电阻上的电流也就不随电源电压VCC变化;所述第二电阻上的电流再通过所述第一 PMOS管镜像给所述第 ...
【技术保护点】
与电源电压无关的电流源,其特征在于:包括第一电阻、第一NMOS管、第二电阻、第二NMOS管、第一PMOS管和第二PMOS管;所述第一电阻的一端接电源电压VCC,另一端接所述第一NMOS管的漏极和所述第二NMOS管的栅极;所述第一NMOS管的栅极接所述第二电阻的一端和所述第二NMOS管的源极,漏极接所述第一电阻的一端和所述第二NMOS管的栅极,源极接地;所述第二电阻的一端接所述第一NMOS管的栅极和所述第二NMOS管的源极,另一端接地;所述第二NMOS管的栅极接所述第一电阻的一端和所述第一NMOS管的漏极,漏极接所述第一PMOS管的栅极和漏极和所述第二PMOS管的栅极,源极接所述第一NMOS管的栅极和所述第二电阻的一端;所述第一PMOS管的栅极和漏极接在一起并接所述第二PMOS管的栅极和所述第二NMOS管的漏极,源极接电源电压VCC;所述第二PMOS管的栅极接所述第二NMOS管的漏极和所述第一PMOS管的栅极和漏极,漏极作为输出电流端IOUT,源极接电源电压VCC。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:周宇坤,
申请(专利权)人:杭州宽福科技有限公司,
类型:新型
国别省市:浙江;33
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。