本实用新型专利技术公开了一种电流产生装置。电流产生装置包括第一运算放大器、第一NMOS管、第二运算放大器、第一电阻、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管和第五NMOS管。利用本实用新型专利技术提供的电流产生装置能够产生不随电源电压变化的电流。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及电流产生装置，尤其涉及到不随电源电压变化的电流产生装置。
技术介绍
在集成电路设计中，电流产生装置是常见模块，电流输出稳定性起到很重要的作用。
技术实现思路
本技术旨在提供一种不随电源电压变化的电流产生装置。电流产生装置，包括第一运算放大器、第一 NMOS管、第二运算放大器、第一电阻、第一 PMOS管、第二 PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第二 NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管和第五NMOS管:所述第一运算放大器的正输入端接基准电压VREF1，负输入端接所述第一电阻的一端和所述第一 NMOS管的源极，输出端接所述第一 NMOS管的栅极；所述第一 NMOS管的栅极接所述第一运算放大器的输出端，漏极接所述第二 PMOS管的栅极和漏极和所述第四PMOS管的栅极，源极接所述第一运算放大器的负输入端和所述第一电阻的一端；所述第二运算放大器的正输入端接基准电压VREF2，负输入端和输出端接在一起构成跟随器；所述第一电阻的一端接所述第一 NMOS管的源极和所述第一运算放大器的负输入端，另一端接所述第二运算放大器的负输入端和输出端；所述第一 PMOS管的栅极和漏极接在一起并接所述第二 PMOS管的源极和所述第三PMOS管的栅极，源极接电源VCC ；所述第二 PMOS管的栅极和漏极接在一起并接所述第四PMOS管的栅极和所述第一NMOS管的漏极，源极接所述第一 PMOS管的栅极和漏极和所述第三PMOS管的栅极；所述第三PMOS管的栅极接所述第一 PMOS管的栅极和漏极和所述第二 PMOS管的源极，漏极接所述第四PMOS管的源极，源极接电源VCC ;所述第四PMOS管的栅极接所述第二 PMOS管的栅极和漏极和所述第一 NMOS管的漏极，漏极接所述第二 NMOS管的栅极和漏极和所述第四NMOS管的栅极；所述第二 NMOS管的栅极和漏极接在一起并接所述第四PMOS管的漏极和所述第四NMOS管的栅极，源极接所述第三NMOS管的栅极和漏极和所述第五NMOS管的栅极；所述第三NMOS管的栅极和漏极接在一起并接所述第二 NMOS管的源极和所述第五NMOS管的栅极，源极接地；所述第四NMOS管的栅极接所述第四PMOS管的漏极和所述第二 NMOS管的栅极和漏极，漏极接输出电流IREF，源极接所述第五NMOS管的漏极；所述第五NMOS管的栅极接所述第二 NMOS管的源极和所述第三NMOS管的栅极和漏极，漏极接所述第四NMOS管的源极，源极接地。所述第一运算放大器和所述第一 NMOS管构成跟随器，所述第一电阻两端的电压等于基准电压VREFl和基准电压VREF2之差，所述第一电阻上的电流等于基准电压VREFl和基准电压VREF2之差除以所述第一电阻的电阻值，该电流就是II，然后再通过所述第二PMOS管镜像电流给所述第四PMOS管电流产生出12，可以通过调节所述第二 PMOS管的宽长比与所述第四PMOS管的宽长比的比值进行调节电流12 ;电流12再通过所述第二 NMOS管镜像电流给所述第四NMOS管电流产生出IREF，可以通过调节所述第二 NMOS管的宽长比与所述第四NMOS管的宽长比的比值进行调节电流IREF。由于基准电压VREFl和基准电压VREF2的电压值是通过带隙电路产生出来，与电源电压VCC的变化无关，也即是基准电压VREFl和VREF2具有很高的电源抑制比；又由于所述第一 PMOS管、所述第二 PMOS管、所述第三PMOS管和所述第四PMOS管构成共源共栅电路，所述第二 NMOS管、所述第三NMOS管、所述第四NMOS管和所述第五NMOS管也是构成共源共栅电路，共源共栅电路是具有很高的电源抑制比，也即是理解为与电源电压VCC的变化无关；所有因素的叠加也就产生出不随电源电压变化的电流IREF。【附图说明】图1为本技术的电流产生装置的电路图。【具体实施方式】以下结合附图对本
技术实现思路
进一步说明。电流产生装置，如图1所示，包括第一运算放大器101、第一 NMOS管102、第二运算放大器103、第一电阻104、第一 PMOS管105、第二 PMOS管106、第三PMOS管107、第四PMOS管108、第二 NMOS管109、第三NMOS管110、第四NMOS管111和第五NMOS管112:所述第一运算放大器101的正输入端接基准电压VREFl，负输入端接所述第一电阻104的一端和所述第一 NMOS管102的源极，输出端接所述第一 NMOS管102的栅极；所述第一 NMOS管102的栅极接所述第一运算放大器101的输出端，漏极接所述第二 PMOS管106的栅极和漏极和所述第四PMOS管108的栅极，源极接所述第一运算放大器101的负输入端和所述第一电阻104的一端；所述第二运算放大器103的正输入端接基准电压VREF2，负输入端和输出端接在一起构成跟随器；所述第一电阻104的一端接所述第一 NMOS管102的源极和所述第一运算放大器101的负输入端，另一端接所述第二运算放大器103的负输入端和输出端；所述第一 PMOS管105的栅极和漏极接在一起并接所述第二 PMOS管106的源极和所述第三PMOS管107的栅极，源极接电源VCC ；所述第二 PMOS管106的栅极和漏极接在一起并接所述第四PMOS管108的栅极和所述第一 NMOS管102的漏极，源极接所述第一 PMOS管105的栅极和漏极和所述第三PMOS管107的栅极；所述第三PMOS管107的栅极接所述第一 PMOS管105的栅极和漏极和所述第二PMOS管106的源极，漏极接所述第四PMOS管108的源极，源极接电源VCC ；所述第四PMOS管108的栅极接所述第二 PMOS管106的栅极和漏极和所述第一NMOS管102的漏极，漏极接所述第二 NMOS管109的栅极和漏极和所述第四NMOS管111的栅极；所述第二 NMOS管109的栅极和漏极接在一起并接所述第四PMOS管108的漏极和所述第四NMOS管111的栅极，源极接所述第三NMOS管110的栅极和漏极和所述第五NMOS管112的栅极； 所述第三NMOS管110的栅极和漏极接在一起并接所述第二 NMOS管109的源极和所述第五NMOS管112的栅极，源极接地；所述第四NMOS管111的栅极接所述第四PMOS管108的漏极和所述第二 NMOS管109的栅极和漏极，漏极接输出电流IREF，源极接所述第五NMOS管112的漏极；所述第五NMOS管112的栅极接所述第二 NMOS管109的源极和所述第三NMOS管110的栅极和漏极，漏极接所述第四NMOS管111的源极，源极接地。所述第一运算放大器101和所述第一 NMOS管102构成跟随器，所述第一电阻104两端的电压等于基准电压VREFl和基准电压VREF2之差，所述第一电阻104上的电流等于基准电压VREFl和基准电压VREF2之差除以所述第一电阻104的电阻值，该电流就是II，然后再通过所述第二 PMOS管106镜像电流给所述第四PMOS管108电流产生出12，可以通过调节所述第二 PMOS管106的宽长比与所述第四PMOS管108的宽长比的比值进行调节电流12 ；电流12再通过所述第二 NMOS管109镜像电本文档来自技高网...
【技术保护点】
电流产生装置，其特征在于：包括第一运算放大器、第一NMOS管、第二运算放大器、第一电阻、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管和第五NMOS管；所述第一运算放大器的正输入端接基准电压VREF1，负输入端接所述第一电阻的一端和所述第一NMOS管的源极，输出端接所述第一NMOS管的栅极；所述第一NMOS管的栅极接所述第一运算放大器的输出端，漏极接所述第二PMOS管的栅极和漏极和所述第四PMOS管的栅极，源极接所述第一运算放大器的负输入端和所述第一电阻的一端；所述第二运算放大器的正输入端接基准电压VREF2，负输入端和输出端接在一起构成跟随器；所述第一电阻的一端接所述第一NMOS管的源极和所述第一运算放大器的负输入端，另一端接所述第二运算放大器的负输入端和输出端；所述第一PMOS管的栅极和漏极接在一起并接所述第二PMOS管的源极和所述第三PMOS管的栅极，源极接电源VCC；所述第二PMOS管的栅极和漏极接在一起并接所述第四PMOS管的栅极和所述第一NMOS管的漏极，源极接所述第一PMOS管的栅极和漏极和所述第三PMOS管的栅极；所述第三PMOS管的栅极接所述第一PMOS管的栅极和漏极和所述第二PMOS管的源极，漏极接所述第四PMOS管的源极，源极接电源VCC；所述第四PMOS管的栅极接所述第二PMOS管的栅极和漏极和所述第一NMOS管的漏极，漏极接所述第二NMOS管的栅极和漏极和所述第四NMOS管的栅极；所述第二NMOS管的栅极和漏极接在一起并接所述第四PMOS管的漏极和所述第四NMOS管的栅极，源极接所述第三NMOS管的栅极和漏极和所述第五NMOS管的栅极；所述第三NMOS管的栅极和漏极接在一起并接所述第二NMOS管的源极和所述第五NMOS管的栅极，源极接地；所述第四NMOS管的栅极接所述第四PMOS管的漏极和所述第二NMOS管的栅极和漏极，漏极接输出电流IREF，源极接所述第五NMOS管的漏极；所述第五NMOS管的栅极接所述第二NMOS管的源极和所述第三NMOS管的栅极和漏极，漏极接所述第四NMOS管的源极，源极接地。...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：沈孙园，
申请(专利权)人：浙江商业职业技术学院，
类型：新型
国别省市：浙江;33
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