不受温度影响的电流源制造技术

本实用新型专利技术公开了一种不受温度影响的电流源。不受温度影响的电流源包括第一NMOS管、第一PMOS管、第二NMOS管和第三NMOS管。利用本实用新型专利技术提供的不受温度影响的电流源能够输出不随温度影响的电流。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及电流源，尤其涉及不受温度影响的电流源。
技术介绍
要得到不受温度影响的电流，为此设计了不受温度影响的电流源。
技术实现思路
本技术旨在提供一种不受温度影响的电流源。不受温度影响的电流源，包括第一 NMOS管、第一 PMOS管、第二 NMOS管和第三NMOS管:所述第一 NMOS管的栅极接电源电压VCC，漏极接电源电压VCC，源极接所述第一PMOS管的源极；所述第一 PMOS管的栅极接地，漏极接所述第二 NMOS管的栅极和漏极和所述第三NMOS管的栅极，源极接所述第一 NMOS管的源极；所述第二 NMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第一 PMOS管的漏极和所述第三NMOS管的栅极，源极接地；所述第三NMOS管的栅极接所述第一 PMOS管的漏极和所述第二 NMOS管的栅极和漏极，漏极作为输出电流端10UT，源极接地。由于所述第一 NMOS管的栅极接电源电压VCC和所述第一 PMOS管的栅极接地，所述第一 NMOS管和所述第一 PMOS管工作在饱和区，呈电阻性特性，通过调节宽长比来变换电阻值；所述第二 NMOS管的源漏间的电流等于电源电压VCC减去所述第一 NMOS管和所述第一 PMOS管的电阻值之和，该电流通过所述第二 NMOS管镜像给所述第三NMOS管的漏极I OUT,通过调节所述第二 NMOS管和所述第三NMOS管的宽长比的比例来调节输出电流1UT ；由于所述第一 NMOS管的源漏间电阻值呈正温度系数，而所述第一 PMOS管的源漏间电阻值呈负温度系数，通过调节温度系数即调节管子的宽长比来达到零温度系数，即不受温度影响的电流。【附图说明】图1为本技术的不受温度影响的电流源的电路图。【具体实施方式】以下结合附图对本
技术实现思路
进一步说明。不受温度影响的电流源，如图1所示，包括第一 NMOS管101、第一 PMOS管102、第二 NMOS 管 103 和第三 NMOS 管 104:所述第一 NMOS管101的栅极接电源电压VCC，漏极接电源电压VCC，源极接所述第一PMOS管102的源极；所述第一 PMOS管102的栅极接地，漏极接所述第二 NMOS管103的栅极和漏极和所述第三NMOS管104的栅极，源极接所述第一 NMOS管101的源极；所述第二 NMOS管103的栅极和漏极接在一起再接所述第一 PMOS管102的漏极和所述第三NMOS管104的栅极，源极接地；所述第三NMOS管104的栅极接所述第一 PMOS管102的漏极和所述第二 NMOS管103的栅极和漏极，漏极作为输出电流端10UT，源极接地。由于所述第一 NMOS管101的栅极接电源电压VCC和所述第一 PMOS管102的栅极接地，所述第一 NMOS管101和所述第一 PMOS管102工作在饱和区，呈电阻性特性，通过调节宽长比来变换电阻值；所述第二NMOS管103的源漏间的电流等于电源电压VCC减去所述第一 NMOS管101和所述第一 PMOS管102的电阻值之和，该电流通过所述第二 NMOS管103镜像给所述第三NMOS管104的漏极10UT，通过调节所述第二 NMOS管103和所述第三NMOS管104的宽长比的比例来调节输出电流1UT ;由于所述第一 NMOS管101的源漏间电阻值呈正温度系数，而所述第一 PMOS管102的源漏间电阻值呈负温度系数，通过调节温度系数即调节管子的宽长比来达到零温度系数，即不受温度影响的电流。【主权项】1.不受温度影响的电流源，其特征在于:包括第一 NMOS管、第一 PMOS管、第二 NMOS管和第三NMOS管； 所述第一 NMOS管的栅极接电源电压VCC，漏极接电源电压VCC，源极接所述第一 PMOS管的源极； 所述第一 PMOS管的栅极接地，漏极接所述第二 NMOS管的栅极和漏极和所述第三NMOS管的栅极，源极接所述第一 NMOS管的源极； 所述第二 NMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第一 PMOS管的漏极和所述第三NMOS管的栅极，源极接地； 所述第三NMOS管的栅极接所述第一 PMOS管的漏极和所述第二 NMOS管的栅极和漏极，漏极作为输出电流端10UT，源极接地。【专利摘要】本技术公开了一种不受温度影响的电流源。不受温度影响的电流源包括第一NMOS管、第一PMOS管、第二NMOS管和第三NMOS管。利用本技术提供的不受温度影响的电流源能够输出不随温度影响的电流。【IPC分类】G05F1/565【公开号】CN204719592【申请号】CN201520420318【专利技术人】齐盛 【申请人】杭州宽福科技有限公司【公开日】2015年10月21日【申请日】2015年6月15日本文档来自技高网...

【技术保护点】
不受温度影响的电流源，其特征在于：包括第一NMOS管、第一PMOS管、第二NMOS管和第三NMOS管；所述第一NMOS管的栅极接电源电压VCC，漏极接电源电压VCC，源极接所述第一PMOS管的源极；所述第一PMOS管的栅极接地，漏极接所述第二NMOS管的栅极和漏极和所述第三NMOS管的栅极，源极接所述第一NMOS管的源极；所述第二NMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第一PMOS管的漏极和所述第三NMOS管的栅极，源极接地；所述第三NMOS管的栅极接所述第一PMOS管的漏极和所述第二NMOS管的栅极和漏极，漏极作为输出电流端IOUT，源极接地。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：齐盛，
申请(专利权)人：杭州宽福科技有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33