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本发明提供一种FinFET制造方法，通过在形成围绕所述鳍片两侧和上方的高k栅介质层的步骤之前或之后，在重氢和惰性气体的混合气氛围中对所述鳍片进行退火，消除鳍片中硅的悬挂键，减少鳍片界面处感生带隙态或氧空位，改善高k介质层中费米能级钉扎问题，...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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