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本发明为一种外延片的制造方法，其在硅基板上形成外延层，其具有在所述外延层中形成原子层的工序，所述原子层由选自氧、碳、氮、锗、锡、硼及磷组成的组中的一种元素的原子形成，且厚度为5nm以下，使用SiH...
该专利属于信越半导体株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过信越半导体株式会社授权不得商用。

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