晶圆的双面研磨方法及双面研磨装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种晶圆的双面研磨方法及双面研磨装置，该方法在双面研磨装置中，配设多个双面研磨用载体对晶圆进行双面研磨，在准备由配设于上平板及下平板之间的多个双面研磨用载体所构成的载体组时，对载体组的所有多个双面研磨用载体，取得根据使用形状测量机测量双面研磨用载体的形状得到的数据所计算的波纹量，选定载体组内的多个双面研磨用载体之间的波纹量的最大值与最小值之差在固定值以下的载体组而进行准备，将该载体组配设于双面研磨装置而对晶圆进行双面研磨。由此，提供能够抑制使用多个双面研磨用载体进行双面研磨所得的晶圆之间的平坦度的差(参差)的晶圆的双面研磨方法及双面研磨装置。

Double side grinding method and device of wafer

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】晶圆的双面研磨方法及双面研磨装置
本专利技术涉及一种使用多个双面研磨用载体对晶圆进行双面研磨的方法及双面研磨装置。
技术介绍
在用于将硅晶圆等晶圆平坦化的双面研磨装置中，一般使用设置有用于保持晶圆的工件孔的圆盘状的双面研磨用载体。作为双面研磨装置，通常使用所谓4路(4way)形式的装置，该装置具备贴附有由无纺布等构成的研磨布(研磨垫)的上平板及下平板，并具有分别在中心部配置太阳齿轮，在外周部配置内齿轮的行星齿轮构造。在这样的双面研磨装置中，在形成于双面研磨用载体(以下也仅称为载体)的单个或多个工件孔的内部插入晶圆并进行保持。并且，从上平板侧供给泥浆至晶圆，一边使上下平板旋转一边将研磨布推压至晶圆的表里双面，并且使载体在太阳齿轮与内齿轮之间自转公转以同时对各晶圆的双面进行研磨。另外，已知对经过双面研磨的晶圆的平坦度而言，保持该晶圆的载体的厚度很重要。由此，曾尝试通过使载体的厚度参差减少，以使经过双面研磨的晶圆的平坦度参差减少(参照专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2015-174168号公报
技术实现思路
(一)要解决的技术问题但是，即使载体的厚度均一，也会在载体间各自本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆的双面研磨方法，所述方法为：在双面研磨装置中，在贴附有研磨布的上平板及下平板之间配设多个双面研磨用载体，将晶圆保持于所述多个双面研磨用载体各自所形成的工件孔，且夹入所述上平板及下所述平板之间而进行双面研磨，其特征在于，在准备由配设于所述上平板及所述下平板之间的多个双面研磨用载体所构成的载体组时，对所述载体组的所有所述多个双面研磨用载体，取得根据使用形状测量机测量所述双面研磨用载体的形状得到的数据所计算的波纹量，选定所述载体组内的所述多个双面研磨用载体之间的波纹量的最大值与最小值之差在固定值以下的载体组而进行准备，将所准备的载体组的所述多个双面研磨用载体配设于所述双面研磨装置而对所述...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2017.04.20 JP 2017-0839361.一种晶圆的双面研磨方法，所述方法为：在双面研磨装置中，在贴附有研磨布的上平板及下平板之间配设多个双面研磨用载体，将晶圆保持于所述多个双面研磨用载体各自所形成的工件孔，且夹入所述上平板及下所述平板之间而进行双面研磨，其特征在于，在准备由配设于所述上平板及所述下平板之间的多个双面研磨用载体所构成的载体组时，对所述载体组的所有所述多个双面研磨用载体，取得根据使用形状测量机测量所述双面研磨用载体的形状得到的数据所计算的波纹量，选定所述载体组内的所述多个双面研磨用载体之间的波纹量的最大值与最小值之差在固定值以下的载体组而进行准备，将所准备的载体组的所述多个双面研磨用载体配设于所述双面研磨装置而对所述晶圆进行双面研磨。2.根据权利要求1所述的晶圆的双面研磨方法，其特征在于，在所述波纹量的计算中，使用具有激光传感器的三坐标测量机作为所述形状测量机，根据对所述双面研磨用载体的全体进行测量得到的点云数据计算波纹量。3.根据权利要求2所述的晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：田中佑宜，北爪大地，
申请(专利权)人：信越半导体株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP