工件研磨方法及工件的研磨装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种能够以更高精度来进行工件的研磨量的控制的工件研磨方法。本发明专利技术的工件研磨方法，将工件(20)用上平台(50a)及下平台(50b)来夹住，且载板(30)每旋转一次，上平台(50a)及下平台(50b)的中心与工件(20)的中心的距离周期性地变化，并且对工件(20)的表面和背面同时进行研磨，所述工件研磨方法的特征在于，测定转矩，并根据由所述距离的周期性的变化引起的转矩分量的振幅，控制工件(20)的研磨量，在载板(30)中在保持孔(40)以外的部分设置有开口部(H)，且载板(30)的开口率为55％以下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】工件研磨方法及工件的研磨装置
本专利技术涉及一种例如通过研磨垫对半导体晶片等工件的表面和背面同时进行研磨的工件研磨方法及研磨装置。
技术介绍
作为供研磨的工件的典型例的硅晶片等半导体晶片的制造中，为了获得更高精度的平坦度质量及表面粗糙度质量的半导体晶片，用具有研磨垫的一对平台来夹住半导体晶片并供给研磨浆料，以进行对其表面和背面同时进行化学机械研磨的双面研磨。若要提高大规模集成电路的集成度，半导体晶片的平坦度是重要因素之一，因此谋求适当地控制半导体晶片的研磨量的方法。在此，本申请人在专利文献1中提出有如下工件研磨方法：如图1所示，将设置于载板30且在从其中心分离的位置具有中心的保持孔40所保持的工件20，用分别设置有研磨垫60的上平台50a及下平台50b来夹住，并通过驱动机构70(太阳齿轮)及80(内齿轮)使载板30旋转，且使上平台50a及下平台50b旋转，由此载板30每旋转一次，上平台50a及下平台50b的中心与工件20的中心的距离周期性地变化，并且通过研磨垫60对工件20的表面和背面同时进行研磨，其中，测定驱动机构70(太阳齿轮)及80(内齿轮)、上平台50a及下平台50b的转矩中本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种工件研磨方法，将设置于载板且在从其中心分离的位置具有中心的保持孔所保持的工件，用分别设置有研磨垫的上平台及下平台来夹住，并通过驱动机构使所述载板旋转，且使所述上平台及下平台旋转，由此所述载板每旋转一次，所述上平台及下平台的中心与所述工件的中心的距离周期性地变化，并且通过所述研磨垫对所述工件的表面和背面同时进行研磨，所述工件研磨方法的特征在于，测定所述驱动机构、所述上平台及下平台的转矩中的至少一个转矩，根据由所述距离的周期性的变化引起的转矩分量的振幅、所述载板呈特定的旋转角的时刻的所述转矩分量或所述载板呈不同的特定的两个旋转角的时刻的所述转矩分量之差，控制所述工件的研磨量，在所述载板中在所述...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.08.05 JP 2014-1593311.一种工件研磨方法，将设置于载板且在从其中心分离的位置具有中心的保持孔所保持的工件，用分别设置有研磨垫的上平台及下平台来夹住，并通过驱动机构使所述载板旋转，且使所述上平台及下平台旋转，由此所述载板每旋转一次，所述上平台及下平台的中心与所述工件的中心的距离周期性地变化，并且通过所述研磨垫对所述工件的表面和背面同时进行研磨，所述工件研磨方法的特征在于，测定所述驱动机构、所述上平台及下平台的转矩中的至少一个转矩，根据由所述距离的周期性的变化引起的转矩分量的振幅、所述载板呈特定的旋转角的时刻的所述转矩分量或所述载板呈不同的特定的两个旋转角的时刻的所述转矩分量之差，控制所述工件的研磨量，在所述载板中在所述保持孔以外的部分设置有开口部，且所述载板的开口率为55％以下。2.根据权利要求1所述的工件研磨方法，其中，所述载板的开口率为0.8％以上。3.根据权利要求1或2所述的工件研磨方法，其中，当所述转矩分量的振幅消失时、所述载板呈特定的旋转角的时刻的所述转矩分量的变化消失时或所述载板呈不同的特定的两个旋转角的时刻的所述转矩分量之差消失时，结束所述工件的研磨。4.根据权利要求1～3中任一项所述的工件研磨方法，其中，所述工件为将硅锭切片而获得的硅晶片。5.一种工件研磨方法，将设置于载板且在从其中心分离的位置具有中心的保持孔所保持的工件，用分别设置有研磨垫的上平台及下平台来夹住，并通过驱动机构使所述载板旋转，且使所述上平台及下平台旋转，由此所述载板每旋转一次，所述上平台及下平台的中心与所述工件的中心的距离周期性地变化，并且通过所述研磨垫对所述工件的表面和背面同时进行研磨，所述工件研磨方法的特征在于，测定所述驱动机构的马达的电流值以及使所述上平台及下平台中的至少一方旋转的马达的电流值中的至少一个电流值，根据由所述距离的周期性的变化引起的电流值成分的振幅、所述载板呈特定的旋转角的时...

【专利技术属性】
技术研发人员：岩永鹰也，三浦友纪，
申请(专利权)人：胜高股份有限公司，
类型：发明
国别省市：日本,JP