【技术实现步骤摘要】
发光组件以及发光组件的制造方法
本专利技术是关于一种发光组件及发光组件的制造方法。
技术介绍
板上芯片(COB)等的产品，由于来自LED组件的散热性为佳，因此在照明等的用途中被采用为LED芯片安装方法。将LED安装在COB等的场合，则必须为将芯片直接对基板接合的覆晶安装。为了实现覆晶安装，必须制作发光组件的一侧的表面上设有极性相异的通电用焊垫的覆晶。此外，设置有通电用焊垫的表面的相反侧的表面则必须以具有光取出功能的材料来构成。以黄色～红色LED制作覆晶的场合，发光层使用AlGaInP系的材料。由于AlGaInP系材料不存在块状结晶，且LED部是以磊晶法形成，因此起始基板会选择与AlGaInP不同的材料。起始基板大多选择GaAs或Ge，而这些基板具有对可见光的光吸收的特性，因此制作覆晶的场合，会除去起始基板。然而，形成发光层的磊晶层为极薄膜，因此起始基板除去后便无法自立。因此必须以具有对发光层的发光波长呈现略透明而作为窗层的功能，以及厚度足以使其自立而作为支承基板的功能的材料及构成，与起始基板置换。作为具有窗层...
【技术保护点】
1.一种发光组件，包括窗层兼支承基板及发光部，所述发光部依序包含设置在所述窗层兼支承基板上的第二导电型的第二半导体层、活性层、及第一导电型的第一半导体层，所述发光组件包含：/n除去部，至少除去所述第一半导体层及所述活性层；/n非除去部，为所述除去部以外；/n第一奥姆电极，设置在所述非除去部；以及/n第二奥姆电极，设置在所述除去部，/n其中所述窗层兼支承基板与所述发光部是通过介电质膜而相接合，/n所述发光部与所述介电质膜之间具有反射防止层。/n
【技术特征摘要】
20180608 JP 2018-1106481.一种发光组件，包括窗层兼支承基板及发光部，所述发光部依序包含设置在所述窗层兼支承基板上的第二导电型的第二半导体层、活性层、及第一导电型的第一半导体层，所述发光组件包含：
除去部，至少除去所述第一半导体层及所述活性层；
非除去部，为所述除去部以外；
第一奥姆电极，设置在所述非除去部；以及
第二奥姆电极，设置在所述除去部，
其中所述窗层兼支承基板与所述发光部是通过介电质膜而相接合，
所述发光部与所述介电质膜之间具有反射防止层。
2.根据权利要求1所述的发光组件，其中所述介电质膜为SiO2层，所述反射防止层具有1.6以上2.9以下的折射率。
3.根据权利要求1或2所述的发光组件，其中所述介电质膜包括设置在所述发光部一侧的第一介电质膜及设置在所述窗层兼支承基板一侧的第二介电质膜，所述第一介电质膜及所述第二介电质膜直接接合。
4.根据权利要求1或2所述的发光组件，其中所述介电质膜包括设置在所述发光部一侧的第一介电质膜及设置在所述窗层兼支承基板一侧的第二介电质膜所成，所述第一介电质膜及所述第二介电质膜通过黏接剂而接合。
5.一种发光组件的制造方法，制造发光组件，所述发光组件的制造方法包含下列步骤：
准备起始基板；
在所述起始基板上，通过磊晶成长，形成积层构造而制作发光组件用晶圆，所述积层构造包括发光部，...
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