一种高亮度LED芯片及其切割方法技术

本发明专利技术提供了一种高亮度LED芯片的切割方法，具体包括激光隐形切割打点步骤以及裂片步骤；其中，激光隐切打点中至少打深度不一样的两排点，深度指从衬底的底面至打点的位置；裂片后衬底的侧面上形成能使侧壁粗化的纹路。第一点的打点距离为LED芯片厚度的1/4‑1/2的距离；第二点的打点距离为LED芯片厚度的1/10‑1/5的距离。第一点的打点功率控制在0.4‑0.7W之间；第二点的打点功率控制在0.1‑0.5W之间。本发明专利技术提供的一种高亮度LED芯片的切割方法通过不同功率和速度来匹配，裂片时形成不规则的裂纹来实现侧壁粗化，可以让侧壁粗化面积最大化，让光更容易从衬底中出来，大大提高了LED芯片的亮度。

A high brightness LED chip and its cutting method

The invention provides a cutting method for a high brightness LED chip, which specifically comprises a laser invisible cutting and striking step and a crack step; wherein, at least two rows of points with different depths are punched in the laser invisible cutting and striking step, and the depth refers to the position from the bottom surface of the substrate to the striking point; after the crack, the side surface of the substrate forms a pattern which can make the side wall coarsen. The first point is 1 / 4 \u2011 1 / 2 of the thickness of the LED chip; the second point is 1 / 10 \u2011 1 / 5 of the thickness of the LED chip. The power of the first point is controlled between 0.4 \u2011 0.7W; the second point is controlled between 0.1 \u2011 0.5W. The cutting method of a high brightness LED chip is matched by different power and speed, and the irregular crack is formed when the chip is cracked to realize the side wall coarsening, which can maximize the coarsening area of the side wall, make the light easier to come out of the substrate, and greatly improve the brightness of the LED chip.

【技术实现步骤摘要】
一种高亮度LED芯片及其切割方法
本专利技术涉及半导体照明
，特别地，涉及一种高亮度LED芯片及其切割方法。
技术介绍
LED(LightEmittingDiode)是由第三代半导体材料GAN制备而成，在性能方面具有使用寿命长、安全环保、耐高温等优点。目前LED广泛的应用于城市照明、背光显示、交通信号灯、汽车灯、植物照明、生物医疗等生活的各个方面。目前LED在结构上可以大致分为：正装结构、倒装结构、垂直结构三大类，各个结构具有其独特的优点。目前，由于人们对LED性能的要求越来越高，这就要求LED技术人员不断进行技术突破，以满足人们对光源的需求。LED亮度提升永远是技术创新中的重中之重。为更好的提高LED芯片的亮度，增加芯片的出光效率，本专利技术提供了一种新型的高亮度LED芯片的切割方法。
技术实现思路
本专利技术目的在于提供一种高亮度LED芯片的切割方法，以提高LED芯片的发光亮度，增加芯片的出光效率。为实现上述目的，本专利技术提供了一种高亮度LED芯片的切割方法，具体包括激光隐切打点步骤以及裂本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高亮度LED芯片的切割方法，其特征在于，具体包括激光隐切打点步骤以及裂片步骤；其中，激光隐切打点中至少打深度不一样的两排点，深度指从衬底的底面至打点的位置；裂片后衬底的侧面上形成能使侧壁粗化的纹路。/n

【技术特征摘要】
1.一种高亮度LED芯片的切割方法，其特征在于，具体包括激光隐切打点步骤以及裂片步骤；其中，激光隐切打点中至少打深度不一样的两排点，深度指从衬底的底面至打点的位置；裂片后衬底的侧面上形成能使侧壁粗化的纹路。


2.根据权利要求1所述的一种高亮度LED芯片的切割方法，其特征在于，激光隐切打点是在LED芯片侧壁的各个面上同时进行。


3.根据权利要求1所述的一种高亮度LED芯片的切割方法，其特征在于，激光隐切打点步骤通过激光两次打点的方式实现，其中，第一点的打点功率大于第二点的打点功率；激光两次打点的打点距离均从衬底底部开始到设定的打点位置，第一点的打点距离大于第二点的打点距离。


4.根据权利要求3所述的一种高亮度LED芯片的切割方法，其特征在于，第一点的打点距离为LED芯片厚度的1/4-1/2的距离；第二点的打点距离为LED芯片厚度的1/10-1/5的距离。


5.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：周智斌，
申请(专利权)人：湘能华磊光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：湖南;43