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本发明提供了一种高亮度LED芯片的切割方法，具体包括激光隐形切割打点步骤以及裂片步骤；其中，激光隐切打点中至少打深度不一样的两排点，深度指从衬底的底面至打点的位置；裂片后衬底的侧面上形成能使侧壁粗化的纹路。第一点的打点距离为LED芯片厚度的...
该专利属于湘能华磊光电股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过湘能华磊光电股份有限公司授权不得商用。

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