碳浓度评价方法技术

本发明专利技术提供一种碳浓度评价方法，其中，向硅晶圆中注入规定的元素的离子，然后利用低温PL法由CiCs复合物的发光强度测定碳浓度，所述碳浓度评价方法的特征在于，以1.1×10

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】碳浓度评价方法
本专利技术涉及一种碳浓度评价方法。
技术介绍
作为用于制作半导体集成电路的基板，主要使用通过CZ(Czochralski)法制作的硅晶圆。认为近年来最先进的成像元件中的缺陷的原因在于器件活性区域中的极微量的金属杂质。具体而言，晶圆中的金属杂质由于形成深能级而成为白斑缺陷的原因。另一方面，器件工序中存在离子注入工序，会产生点缺陷。在离子注入中产生的点缺陷会与晶圆中的碳反应，形成CiCs复合物。可推测出由于CiCs复合物形成能级因而会成为白斑缺陷的一个原因。晶圆中的碳浓度测定可列举出FT-IR法、SIMS或电子束照射+低温PL测定。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2015-222801号公报非专利文献非专利文献1：JEITAEM-3503非专利文献2：应用物理第84卷第11号(2015)p.976
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题上述FT-IR法为使红外线透射晶圆，根据1106cm-1处的红外吸收峰而对碳浓度进行定量的方法(非本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种碳浓度评价方法，其中，向硅晶圆中注入规定的元素的离子，然后利用低温PL法由CiCs复合物的发光强度测定碳浓度，所述碳浓度评价方法的特征在于，/n以1.1×10

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180316 JP 2018-0488581.一种碳浓度评价方法，其中，向硅晶圆中注入规定的元素的离子，然后利用低温PL法由CiCs复合物的发光强度测定碳浓度，所述碳浓度评价方法的特征在于，
以1.1×1011×[注入元素原子量]-0.73<注入量(cm-2)<4.3×1011×[注入元素原子量]-0.73的注入条件进行所述离子的注入，并评价碳浓度。

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【专利技术属性】
技术研发人员：水泽康，
申请(专利权)人：信越半导体株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP