碳化硅单晶的制造方法技术

本发明专利技术提供一种SiC单晶的制造方法，其为利用上部设有温度测量用的孔的隔热材料包围生长容器，于该生长容器的上部的中心配置晶种基板，于生长容器的下部配置碳化硅原材料并使其升华而使SiC单晶在晶种基板上生长的方法，所述制造方法中，以使孔的中心位置与晶种基板的中心位置错开的方式，将孔相对于晶种基板的中心向外周侧的位置错开而设置，作为晶种基板，使用具有自作为基面的{0001}面仅倾斜了偏移角的主面的SiC单晶基板，在包含晶种基板的中心与孔的中心的剖视中，以使晶种基板的基面的法线矢量的与主面平行的分量的方向同孔的偏心方向为同一方向的方式，配置晶种基板而使SiC单晶生长。由此，提供一种减少了晶圆中央部的结晶性的劣化的碳化硅单晶的制造方法。

Manufacturing method of silicon carbide single crystal

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】碳化硅单晶的制造方法
本专利技术涉及一种通过升华法而进行碳化硅的单晶生长的碳化硅单晶的制造方法。
技术介绍
近年来，电动汽车及电冷暖气机之中大量使用逆变电路，由于电力损失少，且相较于使用半导体Si晶体的元件可取得更高的耐压的特性，因此谋求一种碳化硅(以后，有时也称为SiC)的半导体晶体。作为SiC等的熔点高的晶体、难以进行液相生长的晶体的代表性且实际的生长方法，有升华法。升华法为在容器内以2000℃左右乃至2000℃以上的高温使固体原材料升华，从而使其在相对的晶种上进行晶体生长的方法(专利文献1)。然而，为了升华，SiC的晶体生长需要高温，进而使得生长装置需要在高温下进行温度控制。此外，为了使经升华的物质的压力稳定，需要稳定地控制容器内的压力。此外，SiC的晶体生长依赖于升华速度，与Si的柴可拉斯基法或GaAs等的LPE制造法等相比，生长速度相对而言相当地慢。因此，会花费长时间生长。所幸，由于现今的控制设备的发达、计算机及个人计算机等的发达，能够长时间稳定地进行压力及温度的调节。具体而言，基于SiC的升华法的生长方法使用本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种碳化硅单晶的制造方法，其中，利用上部设有温度测量用的孔的隔热材料包围生长容器，于该生长容器内的上部的中心配置晶种基板，于所述生长容器的下部配置碳化硅原材料，使所述碳化硅原材料升华而使碳化硅单晶在所述晶种基板上生长，所述制造方法的特征在于，/n以使所述隔热材料的温度测量用的孔的中心的位置与配置于所述生长容器内的所述晶种基板的中心的位置错开的方式，将所述温度测量用的孔，相对于配置在所述生长容器内的所述晶种基板的中心向外周侧的位置错开而设置，/n作为所述晶种基板，使用具有自作为基面的{0001}面仅倾斜了偏移角的主面的碳化硅单晶基板，/n在包含所述生长容器内的所述晶种基板的中心与所述隔热材料...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180313 JP 2018-0452271.一种碳化硅单晶的制造方法，其中，利用上部设有温度测量用的孔的隔热材料包围生长容器，于该生长容器内的上部的中心配置晶种基板，于所述生长容器的下部配置碳化硅原材料，使所述碳化硅原材料升华而使碳化硅单晶在所述晶种基板上生长，所述制造方法的特征在于，
以使所述隔热材料的温度测量用的孔的中心的位置与配置于所述生长容器内的所述晶种基板的中心的位置错开的方式，将所述温度测量用的孔，相对于配置在所述生长容器内的所述晶种基板的中心向外周侧的位置错开而设置，
作为所述晶种基板，使用具有自作为基面的{0001}面仅倾斜了偏移角的主面的碳化硅单晶基板，
在包含所述生长容器...

【专利技术属性】
技术研发人员：高桥亨，池田均，松本雄一，青山徹郎，
申请(专利权)人：信越半导体株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP