单晶硅的制造方法技术

本发明专利技术是一种单晶硅的制造方法，其基于使用了会切磁场的CZ法，所述会切磁场由提拉炉所具备的上侧线圈及下侧线圈形成，该单晶硅的制造方法的特征在于，在直体工序中，将单晶硅的转速设为7rpm以上12rpm以下，将石英坩埚的转速设为1.0rpm以下，将所述会切磁场的磁场极小面的位置设在从原料熔液表面向下方10mm～从原料熔液表面向上方5mm的范围内，将与磁场极小面相同高度的面和石英坩埚内壁的交点处的所述会切磁场的磁场强度设为800～1200G，从而提拉单晶硅。由此，提供一种高效地制造与现有技术相比氧浓度更低，且氧浓度的面内分布良好的单晶硅的方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及基于使用了会切磁场的cz法的单晶硅的制造方法，所述会切磁场由提拉炉所具备的上侧线圈及下侧线圈形成。

技术介绍

1、近年来，作为用于实现省电的器件，功率器件受到关注。功率器件中的电流流过的区域有的是从表层起数十～数百μm左右的厚度范围，根据情况也有电流在晶圆整体中流过。如果在该电流流动的区域存在氧析出物、bmd（bulk micro defect，体微缺陷），则有时会产生耐压不良、漏电不良。

2、为了不产生上述不良，在面向功率器件的单晶硅晶圆中，要求是不产生氧析出物的程度的低氧浓度，且氧浓度的面内分布平坦。另外，在用于智能手机等通信用的rf（高频）器件中，如果存在氧供体，则高频特性会恶化，因此在面向rf器件的单晶硅晶圆中也要求低氧浓度，氧浓度的面内分布平坦。

3、作为制造面向功率器件、面向rf器件的单晶硅的代表性方法之一，有切克劳斯基（czochralski：cz）法。在进行使用cz法的单晶硅的制造的情况下，使用对原料熔液施加磁场而进行单晶的提拉的磁场施加cz（mcz）法成为主流。作为面向功率器件的低氧结晶的培育方法，已本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种单晶硅的制造方法，其基于使用了会切磁场的CZ法，所述会切磁场由提拉炉所具备的上侧线圈及下侧线圈形成，该单晶硅的制造方法的特征在于，

2.根据权利要求1所述的单晶硅的制造方法，其特征在于，

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种单晶硅的制造方法，其基于使用了会切磁场的cz法，所述会切磁场由提拉炉所具备的上侧线圈及下侧线圈形...

【专利技术属性】
技术研发人员：三原佳祐，
申请(专利权)人：信越半导体株式会社，
类型：发明
国别省市：