温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明是一种单晶硅的制造方法，其基于使用了会切磁场的CZ法，所述会切磁场由提拉炉所具备的上侧线圈及下侧线圈形成，该单晶硅的制造方法的特征在于，在直体工序中，将单晶硅的转速设为7rpm以上12rpm以下，将石英坩埚的转速设为1.0rpm以下，...
该专利属于信越半导体株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过信越半导体株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。