双面研磨装置制造方法及图纸

本发明专利技术是一种双面研磨装置，其是具有上平台及下平台的晶圆的双面研磨装置，其特征在于，在所述上平台中，在旋转中心与周缘之间设置有多个平台贯通孔，且在所述上平台的与所述下平台对置的研磨面上设置有研磨布，在所述研磨布中，在与所述多个平台贯通孔对应的位置设置有孔，该孔具有所述平台贯通孔的直径以上的大小的直径，在所述上平台的所述贯通孔的每一个中插入有树脂制的中空塞，该中空塞的上表面设置有窗材并且在所述研磨面侧即下表面没有窗材，且该中空塞具有塞贯通孔，在所述上平台的上部还具备晶圆厚度测量机构，该晶圆厚度测量机构能够通过所述塞贯通孔而在研磨中以光学方式实时测量所述晶圆的厚度。由此，能够提供一种双面研磨装置，其能够表现出优异的厚度测量精度，且消除金属杂质、伤痕及颗粒的担忧。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及一种双面研磨装置，其具有加工中的晶圆的厚度测量机构。

技术介绍

1、在晶圆的双面研磨工序中，为了尽可能缩小加工后厚度相对于目标晶圆厚度的偏离量，而要求实时的晶圆厚度测量。

2、图8表示现有一例的双面研磨装置的概要侧视图。另外，图9表示图8所示的双面研磨装置的ix部的概要放大剖面图。

3、图8及图9所示的双面研磨装置10是四路式双面研磨装置，具有：上平台2、下平台3、太阳齿轮8及内齿轮9这些各驱动部。另外，在上平台2的与下平台3对置的研磨面2a上设置有研磨布4a。在下平台3的与上平台2对置的面上设置有研磨布4b。并且，双面研磨装置10在上平台2的上部还具备晶圆厚度测量机构7。

4、在使用图8及图9所示的双面研磨装置10的现有技术的一例的双面研磨工序中，如图8及图9所示，一边从晶圆厚度测量机构7通过上平台2的平台贯通孔21将红外激光l照射至研磨中的晶圆w，利用光反射干涉法监视厚度，一边在晶圆w达到任意厚度时结束研磨。

5、在图8及图9所示的现有例的双面研磨装置10中，针对平台贯通孔21，为了防止浆料本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种双面研磨装置，其是具有上平台及下平台的晶圆的双面研磨装置，其特征在于，

2.根据权利要求1所述的双面研磨装置，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的双面研磨装置，其特征在于，

4.根据权利要求2或3所述的双面研磨装置，其特征在于，

5.根据权利要求1～4中任一项所述的双面研磨装置，其特征在于，

6.根据权利要求1～5中任一项所述的双面研磨装置，其特征在于，

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种双面研磨装置，其是具有上平台及下平台的晶圆的双面研磨装置，其特征在于，

2.根据权利要求1所述的双面研磨装置，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的双面研磨装置，其特征在于，

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【专利技术属性】
技术研发人员：天海史郎，桥本浩昌，
申请(专利权)人：信越半导体株式会社，
类型：发明
国别省市：