【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种接合型半导体晶圆的制造方法，尤其涉及一种用于微型led的接合型半导体晶圆的制造方法。
技术介绍
1、仅将化合物半导体功能层(外延功能层)从起始基板分离并移置至另一基板的技术是能够缓和由起始基板的物性导致的限制，并对提升器件系统的设计自由度而言很重要的技术。
2、在微型发光二极管(微型led)器件中，起始基板难以直接移置至驱动电路，而需要移置技术。为了制作能够移置至适合于微型led器件的驱动电路的供体基板，需要一种将化合物半导体功能层接合在作为永久基板的可见光透射性基板上后去除起始基板、实现移置的技术。
3、此外，在微型led器件中，存在供体基板制作的问题，同时存在因缩小微型led尺寸而发生亮度下降的问题。
4、专利文献1中公开了一种经由介电层将半导体外延基板与暂时支撑基板加以热压接合的技术和一种利用湿式蚀刻来分离暂时支撑基板与外延功能层的技术。
5、专利文献1中，在外延片表面形成氧化物层来进行暂时支撑处理后，进行牺牲层蚀刻来将起始基板剥离。然而，虽然能够使用专利文献1的技...
【技术保护点】
1.一种接合型半导体晶圆的制造方法，其特征在于，具有以下工序：
2.根据权利要求1所述的接合型半导体晶圆的制造方法，其特征在于，
3.根据权利要求1或2所述的接合型半导体晶圆的制造方法，其特征在于，在形成所述隔离槽的工序中，于所述化合物半导体功能层形成所述隔离槽，将所述元件的一边制成100μm以下。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的接合型半导体晶圆的制造方法，其特征在于，将所述元件设为具有发光层和窗口层的微型LED结构体。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的接合型半导体晶圆的制造方法，其特征在于，将所述湿式蚀刻的蚀...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种接合型半导体晶圆的制造方法，其特征在于，具有以下工序：
2.根据权利要求1所述的接合型半导体晶圆的制造方法，其特征在于，
3.根据权利要求1或2所述的接合型半导体晶圆的制造方法，其特征在于，在形成所述隔离槽的工序中，于所述化合物半导体功能层形成所述隔离槽，将所述元件的一边制成100μm以下。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的接合型半导体晶圆的制造方法，其特征在于，将所述元件设为具有发光层和窗口层的微型led结构体。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的接合型半导体晶圆的制造方法，其特征在于，将所述湿式蚀刻的蚀刻量设为50nm以上。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的接合型半导体晶圆的制造方法，其特征在于，...
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