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本发明为一种接合型半导体晶圆的制造方法，其特征在于，具有以下工序：使蚀刻停止层在起始基板上外延生长的工序；使化合物半导体功能层在蚀刻停止层上外延生长的工序；利用干式蚀刻法于所述化合物半导体功能层形成用于形成元件的隔离槽的工序；利用湿式蚀刻法...
该专利属于信越半导体株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过信越半导体株式会社授权不得商用。

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