双面研磨装置、半导体硅晶圆的双面研磨方法、双面研磨硅晶圆及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术是一种双面研磨装置，具备：上下平台，其分别粘贴有研磨布；浆液供给机构，其将浆液供给到该上下平台之间；以及双面研磨装置用载具，其配设在所述上下平台之间，且形成有保持孔，该保持孔用于保持当研磨时被夹在所述上下平台之间的半导体硅晶圆，其特征在于，所述双面研磨装置用载具是与所述研磨布接触的表面和背面相对于纯水的接触角为50°以上的金属制载具，所述研磨布相对于纯水的接触角为100°以上且压缩率为5.0%以上。由此，能够提供一种表面缺陷少且雾度水平低的、具有高表面质量的双面研磨硅晶圆、及能够制造这种双面研磨硅晶圆的双面研磨装置。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及一种双面研磨装置、半导体硅晶圆的双面研磨方法、双面研磨硅晶圆的制造方法及双面研磨硅晶圆。

技术介绍

1、当利用抛光等对半导体硅晶圆（以下，有时也简称为“硅晶圆”或“晶圆”）的双面同时进行研磨时，通过双面研磨装置用载具来保持晶圆。双面研磨装置用载具形成为比晶圆更薄的厚度，且具备用于保持晶圆的保持孔。将晶圆插入该保持孔进行保持，并将该载具配设在双面研磨装置的上平台与下平台之间的规定位置。在该上平台和下平台粘贴研磨布并夹入晶圆的上下表面，且一边将研磨剂（浆液）供给到上下平台之间一边进行双面研磨（专利文献1）。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2015-123553号公报

5、专利文献2：日本特开2015-009315号公报

6、专利文献3：国际公开第2018／105306号

7、专利文献4：日本特开2006-045757号公报

技术实现思路

1、（一）要解决的技术问题

2、在目前通常进行的双面研本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种双面研磨装置，具备：上下平台，其分别粘贴有研磨布；浆液供给机构，其将浆液供给到该上下平台之间；以及双面研磨装置用载具，其配设在所述上下平台之间，且形成有保持孔，该保持孔用于保持当研磨时被夹在所述上下平台之间的半导体硅晶圆，其特征在于，

2.根据权利要求1所述的双面研磨装置，其特征在于，

3.一种半导体硅晶圆的双面研磨方法，将双面研磨装置用载具配设在分别粘贴有研磨布的上下平台之间，将所述半导体硅晶圆保持在形成于该双面研磨装置用载具的保持孔，且一边将浆液供给到所述上下平台之间一边进行双面研磨，其特征在于，

4.一种双面研磨硅晶圆的制造方法，其特征在...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种双面研磨装置，具备：上下平台，其分别粘贴有研磨布；浆液供给机构，其将浆液供给到该上下平台之间；以及双面研磨装置用载具，其配设在所述上下平台之间，且形成有保持孔，该保持孔用于保持当研磨时被夹在所述上下平台之间的半导体硅晶圆，其特征在于，

2.根据权利要求1所述的双面研磨装置，其特征在于，

3.一种半导体硅晶圆的双面研磨方法，将双面研磨装置用载具配设在分别粘贴有研磨布的上下平台之间，将...

【专利技术属性】
技术研发人员：吉田容辉，
申请(专利权)人：信越半导体株式会社，
类型：发明
国别省市：