接合型半导体晶圆的制造方法技术

本发明专利技术提供一种接合型半导体晶圆的制造方法，其具有以下工序：使蚀刻停止层在起始基板上生长的工序；通过使具有化合物半导体功能层的外延层在所述蚀刻停止层上生长从而制作外延片的工序；利用干式蚀刻法，在所述化合物半导体功能层形成用以形成元件的隔离沟槽的工序；通过对所述外延层的与所述起始基板为相反侧的表面进行粗化蚀刻，由此使表面粗糙度以算术平均粗糙度Ra计为0.1μm以上的工序；经由可见光透射性热固性接合材料，将可见光透射性基板和所述外延片的与所述起始基板相反的表面接合的工序；及将所述起始基板去除的工序。由此，提供一种接合型半导体晶圆的制造方法，该接合型半导体晶圆在于基板上制作微型LED器件时，能够制成一种亮度下降的产生得到抑制的微型LED。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及一种接合型半导体晶圆的制造方法

技术介绍

1、对于缓解由起始基板的物性导致的限制，提升器件系统的设计自由度而言，仅将外延功能层等半导体功能层从起始基板分离并移置至另一基板的技术是很重要的一种技术。

2、尤其在微型发光二极管(微型led)器件中，起始基板难以直接移置至驱动电路，需要移置技术。为了制作能够移置至适合于微型led器件的驱动电路的供体基板，需要一种将外延功能层接合在永久基板上后去除起始基板，实现移置的技术。

3、此外，在微型led器件中，存在供体基板制作的问题，同时还存在因缩小微型led尺寸而产生亮度下降的问题。

4、专利文献1中公开了一种经由介电层将半导体外延基板与暂时支撑基板热压接合的技术和一种利用湿式蚀刻分离暂时支撑基板与外延功能层的技术。

5、专利文献2中公开了一种在形成隔离沟槽而使牺牲层露出后，进行接合，实施牺牲层蚀刻，分离起始基板的技术。

6、现有技术文献

7、专利文献

8、专利文献1：日本特开2021-27301号公报

9、专本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种接合型半导体晶圆的制造方法，其特征在于，具有以下工序：

2.根据权利要求1所述的接合型半导体晶圆的制造方法，其特征在于，在形成所述隔离沟槽前进行所述粗化蚀刻。

3.根据权利要求1所述的接合型半导体晶圆的制造方法，其特征在于，在形成所述隔离沟槽后进行所述粗化蚀刻。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的接合型半导体晶圆的制造方法，其特征在于，通过在所述化合物半导体功能层形成所述隔离沟槽，由此将所述元件的一边制成100μm以下。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的接合型半导体晶圆的制造方法，其特征在于，将所述元件设为具有发光层和窗口层的...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种接合型半导体晶圆的制造方法，其特征在于，具有以下工序：

2.根据权利要求1所述的接合型半导体晶圆的制造方法，其特征在于，在形成所述隔离沟槽前进行所述粗化蚀刻。

3.根据权利要求1所述的接合型半导体晶圆的制造方法，其特征在于，在形成所述隔离沟槽后进行所述粗化蚀刻。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的接合型半导体晶圆的制造方法，其特征在于，通过在所述化合物半导体功能层形成所述隔离沟槽，由此将所述元件的一边制成100μm以下。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的接合型半导体晶圆的制造方法，其特征在于，将所述元件设为具有发光层和窗口层的微型led结构体。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的接合型半...

【专利技术属性】
技术研发人员：石崎顺也，
申请(专利权)人：信越半导体株式会社，
类型：发明
国别省市：