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本发明提供一种接合型半导体晶圆的制造方法，其具有以下工序：使蚀刻停止层在起始基板上生长的工序；通过使具有化合物半导体功能层的外延层在所述蚀刻停止层上生长从而制作外延片的工序；利用干式蚀刻法，在所述化合物半导体功能层形成用以形成元件的隔离沟槽...
该专利属于信越半导体株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过信越半导体株式会社授权不得商用。

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