一种形成封装件的方法包括将第一多个有源管芯接合到晶圆中的第二多个有源管芯。第二多个有源管芯在晶圆的内部区域中。第一多个伪管芯接合到晶圆中的第二多个伪管芯。第二多个伪管芯在晶圆的外围区域中，并且外围区域包围内部区域。根据本申请的其他实施例...

本公开涉及包括空气间隔件的半导体器件和制造方法。公开了包括源极/漏极区域与半导体衬底之间的气隙的半导体器件及其形成方法。在一个实施例中，半导体器件包括：半导体衬底；半导体衬底上的第一沟道区域；第一沟道区域上的栅极结构；第一源极/漏极区域...

本公开描述了具有铁电存储器的半导体器件，该铁电存储器具有改进的循环后保留(RAC)存储器窗口(MW)性能。该半导体器件包括在衬底上的互连结构、在互连结构上的第一电极、在第一电极上的铁电层以及在铁电层上的第二电极。第一电极包括具有大于金属...

介绍了半导体器件及其制造方法，该方法在半导体衬底上方形成金属化层；在金属化层上方形成第一焊盘；在第一焊盘上方沉积一个或多个钝化层；以及穿过一个或多个钝化层并且至少部分穿过第一焊盘形成第一接合焊盘通孔。分穿过第一焊盘形成第一接合焊盘通孔。...

集成电路的金属化结构。在一个实施例中，集成电路包括设置在单元的有源区上方的金属

本发明的实施例提供了一种进行存内计算的方法，包括针对某些条件监测乘法累加计算的部分和。当满足某些条件时，使用减小的读取能量而不是使用常规读取能量来读取内存内容。减小的读取能量可以通过降低预充电电压、抑制预充电电压或提供接地信号和/或通过...

本申请的实施例提供了存储器器件及其制造方法。存储器器件包括形成在衬底前侧上的存储器阵列。存储器阵列通过多个位线是可存取的。存储器器件包括形成在衬底前侧的开关晶体管。开关晶体管可操作地耦接到多个位线。存储器器件包括形成在衬底背侧上的第一电...

半导体器件，包括：第一源极/漏极区域，该第一源极/漏极区域包括：包括第一金属的第一金属层；以及位于第一金属层上的导电二维材料；物理接触第一金属层的侧壁的隔离层，其中，导电二维材料突出于隔离层之上；位于隔离层上的二维半导体材料，其中，二维...

一种形成封装组件的方法包括在多个金属焊盘上方形成第一聚合物层，以及图案化第一聚合物层以在第一聚合物层中形成多个开口。多个金属焊盘通过多个开口暴露。在多个开口中形成多个导电通孔。在多个导电通孔上方并且接触多个导电通孔形成多个导电焊盘。多个...

提供了集成电路封装件及其形成方法。方法包括：在晶圆上方堆叠多个集成电路管芯以形成管芯堆叠件。在所述管芯堆叠件上实施接合工艺。所述接合工艺将所述管芯堆叠件的相邻集成电路管芯彼此机械连接和电连接。在所述晶圆上方形成挡块结构。所述挡块结构环绕...

一种集成电路包括具有第一宽度的第一电路单元和具有比第一宽度宽至少一个接触多晶硅节距的第二宽度的第二电路单元。第一电路单元的等效电路与第二电路单元的等效电路相同。本申请的实施例还提供了形成集成电路的方法。本申请的实施例还提供了形成集成电路...

本发明的实施例提供了一种MRAM器件，包括：第一介电层，位于衬底上方且具有第一开口；第二介电层，位于第一介电层上方并且具有第二开口；可变电阻存储单元，包括第一电极、第二电极，以及位于第一电极和第二电极之间的磁性隧道结层，第一电极位于第一...

本发明的各个实施例针对图像传感器。图像传感器包括设置在衬底中的深沟槽隔离(DTI)结构。衬底的像素区域设置在DTI结构的内周界内。光电探测器设置在衬底的像素区域中。栅电极结构至少部分地位于衬底的像素区域上面。第一栅极介电结构部分地位于衬...

本申请的实施例提供了集成电路系统及形成集成电路的方法。示例性方法包括接收包括晶体管和多层互连的标准单元的器件布局。多层互连件包括电源线、信号线、连接到电源线和晶体管的源极的源极接触件、以及连接到信号线中的一个和晶体管的漏极的漏极接触件。...

在实施例中，器件包括：集成电路管芯，包括管芯连接件；介电层，位于集成电路管芯上；凸块下金属层，具有位于介电层上的线部分并且具有延伸穿过介电层以接触管芯连接件的通孔部分；通孔，位于凸块下金属层的线部分上，通孔具有接近管芯连接件的第一弯曲侧...

本公开涉及半导体器件的接触件特征及其形成方法。一种方法包括在源极/漏极区域之上形成电介质层。在电介质层中形成开口。开口暴露源极/漏极区域的一部分。在开口的侧壁和底部上形成导电内衬。对导电内衬的暴露表面执行表面改性工艺。表面改性工艺在导电...

半导体器件包括位于第一行中的第一单元，其中，第一行在第一方向上延伸，第一单元具有在垂直于第一方向的第二方向上测量的第一单元高度。半导体器件还包括位于第一行中的第二单元，其中，第二单元具有在第二方向上测量的第二单元高度，第二单元高度小于第...

本申请的实施例提供了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括电容器，该电容器具有第一导体板、第二导体板和插入在其间的介电层的部分。半导体器件包括与第一导体板电接触的多个第一接触结构。半导体器件包括与第二导体板电接触的多个第二接触结构...

一种3D存储器阵列包括形成具有在X轴方向上布置的多个3D存储器子阵列的台地特征件。每一3D存储器子阵列包括：多个存储器单元，其等是分布于在X轴方向上布置的多列中；多个位线，其等在Z轴方向上延伸；多个源极线，其等在Z轴方向上延伸；及多个字...

一种半导体结构及其制造方法，半导体结构包括一第一介电层、该第一介电层上方的一导电层及该导电层的一第一部分上方的一第一电极。该导电层的该第一部分的一第一厚度大于该导电层的并未在该第一电极下方的一第二部分的一第二厚度。一第二厚度。一第二厚度。