本公开总体涉及用于晶体管的隔离结构。根据本公开的半导体结构包括：基鳍，位于衬底之上；纳米结构的堆叠，直接设置在基鳍之上；栅极结构，围绕纳米结构的堆叠中的每一个；隔离特征，设置在衬底之上并与基鳍相邻；以及电介质鳍，直接设置在隔离特征上。电...

方法包括形成复合封装衬底。复合封装衬底的形成包括：将互连管芯密封在密封剂中，其中互连管芯中包括多个通孔；以及在互连管芯的相对侧上形成第一多个再分布线(RDL)和第二多个RDL。方法还包括：将有机封装衬底接合至复合封装衬底；以及将第一封装...

本公开涉及一种半导体结构及其形成方法。在等离子体灰化之后且修整制程之前，恢复层(例如，有机及/或锡基材料)形成于凹槽中，其中形成相邻的MEOL或BEOL结构。恢复层保存硬遮罩材料与介电材料，使得相邻的MEOL或BEOL结构的上表面保持物...

本发明的各个实施例针对图像传感器。图像传感器包括具有第一侧和第二侧的衬底。衬底包括像素区域。光电探测器位于像素区域中。第一掺杂区域位于像素区域中。第二掺杂区域位于像素区域中。第二掺杂区域垂直位于第一掺杂区域和衬底的第一侧之间。掺杂阱位于...

在一些实施例中，本申请提供集成芯片(IC)。IC包括设置在衬底之上的金属

本文涉及EUV光掩模的制作方法。在一种制造反射型掩模的方法中，在掩模坯上方形成粘合层。掩模坯包括衬底、布置在衬底上方的反射多层、布置在反射多层上方的覆盖层、布置在覆盖层上方的吸收剂层和布置在吸收剂层上方的硬掩模层。在粘合层上方形成光致抗...

半导体装置包含第一晶体管，位于基底的第一装置类型区中，其中第一晶体管包含第一栅极结构及相邻于第一栅极结构的第一源极/漏极部件。此半导体装置更包含第二晶体管，位于基底的第二装置类型区中，其中第二晶体管包含第二栅极结构及相邻于第二栅极结构的...

本申请的实施例提供了半导体器件的填充单元区域及其形成方法。填充单元区域(在半导体器件中)包括：栅极区段，其第一端的多数与第一参考线基本对齐，第一参考线平行于且靠近于填充单元区域的顶部边界，以及栅极区段的多数第二端与第二参考线基本对齐并且...

本公开涉及半导体结构及其制造方法。一种制造半导体结构的方法包括以下操作：通过取放工具将管芯朝向晶圆移动，取放工具包括以固定关系附接到取放工具的红外(IR)检测设备；通过使用IR检测设备将管芯与晶圆对准，其中，将管芯朝向晶圆移动和将管芯与...

本公开总体涉及半导体结构及其制造方法。一种半导体结构包括第一器件结构、氧化物基层和第一辅助接合焊盘。第一器件结构包括第一接合层。氧化物基层接合到第一器件结构的第一接合层。第一辅助接合焊盘位于氧化物基层和第一器件结构的第一接合层之间的界面...

本发明提供了用于极紫外(EUV)光刻系统的方法，该极紫外光刻系统包括具有激光器件的辐射源，该激光器件配置有用以产生EUV辐射的机构。该方法包括：以3维(3D)模式收集来自激光器件的激光束的激光束轮廓；以3D模式收集由激光束产生的EUV辐...

本发明的实施例提供了一种半导体器件，包括金属

本公开的实施例描述了具有正侧和背侧电源互连的结构。该结构包括设置在衬底中的晶体管结构，其中晶体管结构包括源极/漏极(S/D)区。该结构还包括在衬底的顶面之上的正侧电源线，其中正侧电源线电连接到电源金属线。该结构还包括衬底的底面之下的背侧...

提供了一种集成电路及其形成方法。集成电路包括沿第一方向延伸的第一和第二有源区，以及沿第二方向延伸的浮置栅极、第一伪栅极、第一导体和第二导体。浮置栅极是电浮置的。第一伪栅极在第二方向上与浮置栅极分离。伪栅极和浮置栅极将对应于第一晶体管的第...

半导体封装件包括：第一晶圆，包括第一衬底；第一器件结构；以及第一接合层，具有第一接合焊盘的图案。第一接合层设置在第一衬底和第一器件结构上方。半导体封装件包括：第二晶圆，包括第二衬底；第二器件结构；以及第二接合层，具有第二接合焊盘的图案。...

形成半导体器件的方法包括：在设置在衬底上方的导电焊盘上方形成钝化层；以及在钝化层上方形成电感组件，包括：在钝化层上方依次形成第一绝缘层和第一磁层；在第一磁层上方形成第一聚合物层；在第一聚合物层上方形成第一导电部件；在第一聚合物层和第一导...

本发明的实施里提供了形成管芯封装件的方法，包括：在载体上方形成第一介电层；在第一介电层上方形成第一金属层，第一金属层包括伪焊盘和有源焊盘；在第一金属层上方形成第二介电层；在第二介电层上方形成第二金属层，其中，第一金属层的伪焊盘物理地耦接...

揭示在鳍状物高度不增加或晶片面积不增大的情况下电容增大的半导体装置。形成多个槽跨越(多个)鳍状物的宽度以使与栅极端的重叠表面积增大，特别地，槽的长度小于或等于鳍状物宽度。亦描述形成此种有凹槽的鳍状物及半导体电容器装置的方法。体电容器装置...

一种半导体装置，特别是关于包括功能性区块及虚设单元的装置。功能性区块包括第一功能性区块及第二功能性区块。每个虚设单元具有由非功能主动区域及用于填充功能性区块之间的空间的非功能栅极限定的单元边界，且包括用以设于第一功能性区块与第二功能性区...

本公开提供一种半导体装置及其制造方法。上述半导体装置的制造方法包括在基板上方形成第一互连层，第一互连层包括第一导电特征以及第二导电特征；在第一互连层上形成图案化遮罩，图案化遮罩中的一或多个开口覆盖第二导电特征；经由图案化遮罩中的一或多个...