封装件及其形成方法技术

方法包括形成复合封装衬底。复合封装衬底的形成包括：将互连管芯密封在密封剂中，其中互连管芯中包括多个通孔；以及在互连管芯的相对侧上形成第一多个再分布线(RDL)和第二多个RDL。方法还包括：将有机封装衬底接合至复合封装衬底；以及将第一封装组件和第二封装组件接合至第一多个RDL。第一封装组件和第二封装组件通过互连管芯和第一多个RDL电互连。本申请的实施例还涉及封装件及其形成方法。的实施例还涉及封装件及其形成方法。的实施例还涉及封装件及其形成方法。

【技术实现步骤摘要】
封装件及其形成方法


[0001]本申请的实施例涉及封装件及其形成方法。

技术介绍

[0002]集成电路具有越来越多的功能。为了将更多的功能集成在一起，制造多个器件管芯，并且在封装工艺中封装在一起。多个器件管芯电互连，使得它们可以一起工作。随着封装件的尺寸和复杂性的增加，翘曲也随之增加。

技术实现思路

[0003]本申请的一些实施例提供了一种形成封装件的方法，包括：形成复合封装衬底，包括：将互连管芯密封在第一密封剂中，其中，所述互连管芯中包括第一多个通孔；以及在所述互连管芯的相对侧上形成第一多个再分布线(RDL)和第二多个再分布线；将有机封装衬底接合至所述复合封装衬底；以及将第一封装组件和第二封装组件接合至所述第一多个再分布线，其中，所述第一封装组件和所述第二封装组件通过所述互连管芯和所述第一多个再分布线电互连。
[0004]本申请的另一些实施例提供了一种封装件，包括：复合封装衬底，包括：第一多个再分布线(RDL)；互连管芯，接合至所述第一多个再分布线，其中，所述互连管芯包括：半导体衬底；以及第一多个通孔，穿透所述半导体衬底；第一密封剂，将所述互连管芯密封在其中；以及第二多个再分布线，位于所述第一密封剂的与所述第一多个再分布线相对的侧上，其中，所述第一多个再分布线通过所述第一多个通孔电连接至所述第二多个再分布线；第一封装组件和第二封装组件，位于所述复合封装衬底上方并且接合至所述复合封装衬底，其中，所述第一封装组件和所述第二封装组件通过所述互连管芯电互连；以及封装衬底，位于所述复合封装衬底下面并且接合至所述复合封装衬底。
[0005]本申请的又一些实施例提供了一种封装件，包括：第一器件管芯和第二器件管芯；复合封装衬底，位于所述第一器件管芯和所述第二器件管芯下面，所述复合封装衬底包括：互连管芯，电互连所述第一器件管芯和所述第二器件管芯；以及模塑料，将所述互连管芯密封在其中；封装衬底，位于所述复合封装衬底下面并且接合至所述复合封装衬底，其中，所述封装衬底通过所述互连管芯电连接至所述第一器件管芯；以及焊料区域，将所述复合封装衬底接合至所述封装衬底，其中，所述焊料区域与所述复合封装衬底和所述封装衬底两者物理接触。
附图说明
[0006]当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本专利技术的各个方面。应该指出，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。
[0007]图1至图16示出了根据一些实施例的封装件形成中的中间阶段的截面图。
[0008]图17示出了根据一些实施例的封装件的截面图。
[0009]图18至图21示出了根据一些实施例的封装件形成中的中间阶段的截面图。
[0010]图22至图23示出了根据一些实施例的封装件形成中的中间阶段的截面图。
[0011]图24至图31示出了根据一些实施例的封装件形成中的中间阶段的截面图。
[0012]图32至图37示出了根据一些实施例的一些封装件的截面图。
[0013]图38至图43示出了根据一些实施例的封装件形成中的中间阶段的截面图。
[0014]图44至图47示出了根据一些实施例的封装件形成中的中间阶段的截面图。
[0015]图48至图50示出了根据一些实施例的一些封装件的截面图。
[0016]图51至图60示出了根据一些实施例的封装件形成中的中间阶段的截面图。
[0017]图61至图62示出了根据一些实施例的一些封装件的截面图。
[0018]图63至图69示出了根据一些实施例的封装件形成中的中间阶段的截面图。
[0019]图70至图71示出了根据一些实施例的一些封装件的截面图。
[0020]图72至图75示出了根据一些实施例的封装件中的一些封装组件的截面图。
[0021]图76示出了根据一些实施例的封装件的部分的放大视图。
[0022]图77示出了根据一些实施例的互连管芯的截面图。
[0023]图78示出了根据一些实施例的用于形成封装件的工艺流程。
具体实施方式
[0024]以下公开内容提供了许多用于实现本专利技术的不同特征的不同实施例或实例。下面描述了组件和布置的具体实例以简化本专利技术。当然，这些仅仅是实例，而不旨在限制本专利技术。例如，以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件直接接触形成的实施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之间可以形成额外的部件，从而使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。此外，本专利技术可在各个实例中重复参考标号和/或字符。该重复是为了简单和清楚的目的，并且其本身不指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。
[0025]此外，为了便于描述，本文可以使用诸如“位于
…
下面”、“在
…
下方”、“下部”、“位于
…
上面”、“上部”等空间相对术语，以描述如图所示的一个元件或部件与另一个(或另一些)元件或部件的关系。除了图中所描绘的方位外，空间相对术语旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。装置可以以其它方式定向(旋转90度或在其它方位上)，而本文使用的空间相对描述符可以同样地作出相应的解释。
[0026]提供了封装工艺和所得封装件。根据一些实施例，形成集成扇出(InFO)封装衬底(也称为复合封装衬底)，其中嵌入有局部硅互连(LSI)管芯。InFO封装衬底可以是其中包括多个完全相同InFO封装衬底的晶圆级封装组件。InFO封装衬底逐层构建，并且横向延伸超过相应下面的器件管芯的边缘。InFO封装衬底可以与诸如有机封装衬底的另一封装组件接合。诸如器件管芯、高带宽存储器(HBM)、晶圆上芯片封装件等的分立封装组件可以直接接合至InFO封装衬底。因为LSI管芯构建在InFO封装衬底中，而不是嵌入在接合在封装衬底上的衬底上晶圆上芯片封装件中，所以减少了所得封装件的翘曲，并且提高了制造良率。衬底上晶圆上芯片封装件可以包括接合至晶圆的分立器件管芯，并且然后锯切晶圆以形成分立的晶圆上芯片封装件，分立的晶圆上芯片封装件然后接合至封装衬底以形成衬底上晶圆上
芯片封装件。这使得能够形成超大封装件(例如，具有6X中间掩模(reticle)或更大)。也减少了插入损耗。本文讨论的实施例是为了提供能够制造或使用本专利技术的主题的实例，并且本领域普通技术人员将容易理解可以进行的修改，同时保持在不同实施例的考虑范围内。贯穿各个视图和说明性实施例，相同的参考标号用于表示相同的元件。虽然方法实施例可以讨论为以特定顺序实施，但是其它方法实施例可以以任何逻辑顺序实施。
[0027]图1至图17示出了根据一些实施例的包括LSI管芯的封装件的形成中的中间阶段的截面图。对应的工艺也示意性地反映在如图78中所示的工艺流程200中。
[0028]参考图1，提供了载体20，并且在载体20上涂覆释放膜22。载体20由透明材料形成，并且可以是玻璃载体、陶瓷载体等。释放膜22可以由光热转本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种形成封装件的方法，包括：形成复合封装衬底，包括：将互连管芯密封在第一密封剂中，其中，所述互连管芯中包括第一多个通孔；以及在所述互连管芯的相对侧上形成第一多个再分布线(RDL)和第二多个再分布线；将有机封装衬底接合至所述复合封装衬底；以及将第一封装组件和第二封装组件接合至所述第一多个再分布线，其中，所述第一封装组件和所述第二封装组件通过所述互连管芯和所述第一多个再分布线电互连。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一多个再分布线和所述第二多个再分布线通过所述第一多个通孔互连。3.根据权利要求1所述的方法，还包括：形成第二多个通孔，其中，所述第二多个通孔密封在所述第一密封剂中，并且其中，所述第一多个再分布线和所述第二多个再分布线通过所述第二多个通孔进一步互连。4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述有机封装衬底和所述第一封装组件位于所述复合封装衬底的相对侧上。5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二多个再分布线在所述第一多个再分布线形成之后形成，并且其中，所述方法还包括将所述互连管芯接合至所述第一多个再分布线。6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述互连管芯和所述第一密封剂共同形成重构晶圆的一部分，并且其中，所述第一多个再分布线和所述第二多个再分布线都从所述重构晶圆的相对侧开始形成。7.根据权利要求1所述的方法，还包括：在所述有机封装衬底接合至所述复合封装...

【专利技术属性】
技术研发人员：侯皓程，王宗鼎，郑荣伟，梁裕民，李建勋，侯上勇，陈玮佑，张向晴，潘国龙，郑淑蓉，林圣奇，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：