本公开提供一种半导体装置及其制造方法。上述半导体装置的制造方法包括在基板上方形成第一互连层，第一互连层包括第一导电特征以及第二导电特征；在第一互连层上形成图案化遮罩，图案化遮罩中的一或多个开口覆盖第二导电特征；经由图案化遮罩中的一或多个...

本发明提供的方法包括接收半导体基板，其具有第一半导体材料的半导体表面；形成抗击穿结构于半导体基板中；在第一温度T1对半导体基板进行预烘烤工艺；在第二温度T2外延成长第一半导体材料的未掺杂的半导体层于半导体基板上，且未掺杂的半导体层具有第...

本发明提供的方法包括接收半导体基板，其具有第一半导体材料的半导体表面；形成抗击穿结构于半导体基板中；在第一温度T1对半导体基板进行预烘烤工艺；在第二温度T2外延成长第一半导体材料的未掺杂的半导体层于半导体基板上，且未掺杂的半导体层具有第...

本申请实施例涉及用于形成薄的绝缘体上半导体SOI衬底的方法。本申请案的各种实施例涉及一种以低成本且以低总厚度变动TTV形成薄的绝缘体上半导体SOI衬底的方法。在一些实施例中，在牺牲衬底上外延形成蚀刻停止层。装置层外延形成于所述蚀刻停止层...

本申请实施例涉及用于形成薄的绝缘体上半导体SOI衬底的方法。本申请案的各种实施例涉及一种以低成本且以低总厚度变动TTV形成薄的绝缘体上半导体SOI衬底的方法。在一些实施例中，在牺牲衬底上外延形成蚀刻停止层。装置层外延形成于所述蚀刻停止层...

提供一种形成导电部件的改善方法及由所述方法形成的半导体装置。提供用于形成具有不同表面轮廓的凸块下冶金(UBM)结构的方法及由所述方法形成的半导体装置。一种方法包括：在集成电路装置上方形成第一介电层；在第一介电层之中形成第一导电部件；在第...

提供一种形成导电部件的改善方法及由所述方法形成的半导体装置。提供用于形成具有不同表面轮廓的凸块下冶金(UBM)结构的方法及由所述方法形成的半导体装置。一种方法包括：在集成电路装置上方形成第一介电层；在第一介电层之中形成第一导电部件；在第...

本申请的实施例提供了半导体器件、集成电路及其制造方法。集成电路包括第一单元和第二单元。第一单元包括在第一方向上延伸的第一多个有源区域和在与第一方向交叉的第二方向上延伸的第一多个栅极，第一单元具有由第一多个栅极中的间断限定的第一单元边缘。...

方法包括：在衬底的第一区域中形成从衬底突出的第一鳍并且在衬底的第二区域中形成从衬底突出的第二鳍；使第一鳍的部分凹进，从而形成第一凹槽；使第二鳍的部分凹进，从而形成第二凹槽；在第二凹槽中沉积阻挡层；在第一凹槽中生长基底外延层；从第二凹槽去...

本申请的实施例提供了集成电路器件及其制造方法。集成电路器件包括在衬底上的纳米结构的第一垂直堆叠件、在衬底上的纳米结构的第二垂直堆叠件、在第一和第二垂直堆叠件之间并与第一和第二垂直堆叠件直接接触的壁结构、围绕纳米结构的三个侧的栅极结构和在...

本发明的实施例提供了一种制造鳍式场效应晶体管的方法，包括：图案化衬底以形成沟槽，在沟槽之间形成沿第一方向延伸的半导体鳍；在沟槽中形成绝缘体；形成介电层以覆盖半导体鳍和绝缘体；在介电层上形成在垂直于第一方向的第二方向上延伸的第一、第二伪栅...

本文描述的实施例总体涉及用于形成互连结构的一个或多个方法和由此形成的结构，互连结构诸如包括导线和导电通孔的双镶嵌互连结构。在一些实施例中，穿过半导体衬底上方的一个或多个介电层形成互连开口。互连开口具有通孔开口和位于通孔开口上方的沟槽。在...

本发明的实施例提供一种半导体装置。所述半导体装置包含：电介质插入器、第一互连层、电子组件、多个电导体及多个导电结构。所述电介质插入器具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面。所述第一互连层在所述电介质插入器的所述第一表面之上。所述电子...

半导体装置包括底部电极、绝缘体层、半导体层、介电层、铁电层以及顶部电极。底部电极设置于基板上。绝缘体层设置于底部电极上，且具有不同厚度的多个区段。半导体层设置于绝缘体层上。介电层设置于半导体层上。铁电层设置于介电层上。顶部电极设置于铁电...

提供一种集成电路装置的制造方法，所述方法包含在半导体基板上形成一个场效晶体管；在场效晶体管上沉积一第一介电层；在第一介电层上沉积一第一含金属介电层；以及在第一含金属介电层上形成第一薄膜晶体管。介电层上形成第一薄膜晶体管。介电层上形成第一...

本申请的实施例提供了半导体器件，半导体器件包括多个中间波导。多个中间波导垂直设置在彼此的顶部上，并且多个中间波导中的垂直相邻的中间波导彼此横向偏移。当从顶部观察时，多个中间波导中的每个基本上由第一部分和第二部分组成，第一部分具有从相应的...

一种半导体器件，包括：衬底；衬底上方的互连结构；互连结构上方的蚀刻停止层；蚀刻停止层上方的金属

一种半导体制程工具及其操作方法，本文所描述的一些实施方案提供用于半导体制程工具的技术及设备，该半导体制程工具包括静电卡盘，具有电压调整系统，该电压调整系统用于调整定位于该静电卡盘上方的半导体基板的整个区域中的电位。该电压调整系统可判定该...

集成电路的单元布局设计。在一个实施例中，集成电路包括双栅极单元，其形成经由公共源极/漏极端子相互连接的两个晶体管。双栅极单元包括有源区、延伸跨越有源区的两个栅极线、设置在两个栅极线中的一个或两个上且与有源区重叠的至少一个第一栅极通孔、以...

一种光学器件包括沿着一个方向设置在相邻光学波导之间的光学隔离器。光学隔离器具有与至少一个光学波导不同的垂直尺寸或水平尺寸。垂直尺寸和水平尺寸大于至少一个波导的垂直尺寸和水平尺寸。在各个实施例中，光学隔离器的结构可以是平面结构、柱状周期性...