提出半导体装置及其形成方法。在形成混合鳍片结构之前，移除覆侧壁层基脚。当移除覆侧壁层以使金属栅极能够形成在纳米结构晶体管的纳米结构通道周围时，移除覆侧壁层基脚防止金属栅极基脚形成在混合鳍片结构下方。可以以非对称方式形成覆侧壁层以包含不同...

本公开提供了动态激光辅助蚀刻方法。一种蚀刻方法，包括：在晶圆上形成多个半导体区域；将晶圆置于蚀刻室中；使用加热源整体加热晶圆；以及将激光束投射到晶圆上。当晶圆既被加热源加热又被激光束加热时，在晶圆上的多个半导体区域被蚀刻。导体区域被蚀刻...

本公开涉及垂直DRAM结构及形成方法。实施例提供了一种集成电容器，其设置在垂直栅极全环绕存储器单元晶体管正上方并与之对齐。在一些实施例中，可以在相邻字线之间提供气隙以在字线之间提供低k介质效应。在一些实施例中，底部位线结构可以跨多个层分...

一种半导体装置及其制造方法，制造半导体装置的方法包括：在半导体鳍片上形成源极/漏极区。源极/漏极区与假性栅极相邻。此方法进一步包括：在源极/漏极区及假性栅极上方形成第一介电层。第一介电层具有3.5或更小的介电常数。第一介电层可包括具有Si

本公开描述了一种具有由沟槽隔离结构分离的辐射感测区域的半导体器件。根据本申请的实施例，还提供了半导体结构。半导体结构包括在衬底上的第一沟槽填充结构和在衬底上的第二沟槽填充结构。第一沟槽填充结构具有第一宽度和凸底表面。第二沟槽填充结构具有...

根据本申请的实施例，提供了半导体器件。半导体器件包括第一衬底。半导体器件包括形成在第一衬底上方的多个金属化层。半导体器件包括形成在多个金属化层上方的多个通孔结构。半导体器件包括通过多个通孔结构附接至第一衬底的第二衬底。半导体器件包括设置...

一种工艺系统包含曝光机台、多个装载端口、接口模块和传送模块。曝光机台包含壳体和设置在壳体中的多个曝光晶圆载台。多个装载端口沿第一方向排列。接口模块连接在曝光机台和这些装载端口之间。传送模块设置在接口模块中。传送模块包含：轨道、升降机、旋...

本申请的实施例公开了存储器、存储器器件和制造方法。具体地，公开了一种包括底部电极桥和重叠并物理耦合到底部电极桥的自旋轨道扭矩结构的磁存储器器件及其制造方法。在一个实施例中，一种存储器包括在第一通孔上的第一电极；在第二通孔上的第二电极；结...

提供了一种存储器器件。根据本发明的存储器器件包括：第一下拉器件(PD

一种记忆体装置与其制造方法，记忆体装置包含拥有第一区域与第二区域的基材。第一区域包含多个第一导电条、第一记忆体层、第二导电条与多个第三导电条。多个第一导电条沿侧向延伸且沿垂直方向彼此间隔，第一记忆体层沿垂直方向延伸，第一半导体层沿垂直方...

一种半导体装置及其制造方法，半导体装置的制造方法包含：沉积多层堆叠于半导体基材上，多层堆叠包含交替的多个牺牲层及多个通道层；形成虚设栅极于多层堆叠上；形成第一间隙壁于虚设栅极的侧壁上；进行第一布植工艺，以形成第一掺杂区域，第一布植工艺具...

一种器件封装件，包括插件。插件包括：半导体衬底；第一贯穿通孔，延伸穿过半导体衬底；互连结构，包括：第一金属化图案，位于无机绝缘材料中；以及钝化膜，位于第一金属化图案上方；以及第一再分布结构，位于钝化膜上方。第一再分布结构包括位于有机绝缘...

本发明的各个实施例针对集成电路(IC)，其具有包括第一衬底、第一互连结构和第一混合接合结构的第一IC结构。第二IC结构包括第二衬底和在接合界面处邻接第一混合接合结构的第二混合接合结构。第二衬底包括：包括第一半导体器件的第一器件区域和包括...

将一内间隔物形成至一长度而减少未在一纳米结构晶体管的一源极/漏极区的一外延层成长的可能性。这样减少了部分外延层变得不被合并的可能性，而顺便减少空孔形成在源极/漏极区的可能性。还有，可以使用一循环的沉积与蚀刻技术来形成外延层，其可以实现外...

提供了半导体结构及其形成方法。在实施例中，方法包含接收工作件，包含基板、自基板突出的主动区、以及设置于主动区的通道区上方的虚置栅极结构。方法亦包含形成沟槽于主动区的源极/漏极区中，形成牺牲结构于沟槽中，顺应地沉积介电膜于工作件上方，执行...

本发明的实施例提供了一种集成电路，包括第一有源区、第一接触件、第一栅极、第一导线、第一导体和第一通孔。在一些实施例中，第一有源区沿第一方向延伸。在一些实施例中，第一接触件在第二方向上延伸，并且至少与第一有源区重叠。在一些实施例中，第一栅...

本公开的一种相变化记忆体装置、相变化记忆体结构和其制造方法，相变化记忆体装置包括形成在互连层上方的第一电极、形成在第一电极上方的相变化记忆体元件、形成在相变化记忆体元件上方的第二电极，及形成在相变化记忆体元件的侧壁上的无氧间隔物层。相变...

本揭露是关于集成晶片及其制造方法，集成晶片包含在基材上的第一铁电层。第一电极层是在基材上且在第一铁电层的第一侧上。第二电极层是在基材上且在第一铁电层相对于第一侧的第二侧上。第一阻障层是在第一铁电层及第一电极层之间。第一阻障层的带隙能量大...

一种半导体装置及其形成方法。在一实施例中，装置包括源极/漏极区域，邻接于通道区域；层间介电质，位于源极/漏极区域上；源极/漏极接触，延伸穿过层间介电质且进入源极/漏极区域；金属半导体合金区域，位于源极/漏极接触及源极/漏极区域之间，金属...

方法包括形成蚀刻掩模以覆盖芯轴、第一间隔件和第二间隔件，并且第一间隔件和第二间隔件与芯轴的相对侧壁接触。然后图案化蚀刻掩模，并且蚀刻掩模包括覆盖第一间隔件的第一部分、覆盖第二间隔件的第二部分以及将第一部分连接至第二部分的桥部分。桥部分具...