半导体器件和半导体结构及其形成方法技术

本公开描述了一种具有由沟槽隔离结构分离的辐射感测区域的半导体器件。根据本申请的实施例，还提供了半导体结构。半导体结构包括在衬底上的第一沟槽填充结构和在衬底上的第二沟槽填充结构。第一沟槽填充结构具有第一宽度和凸底表面。第二沟槽填充结构具有凹底表面和大于第一宽度的第二宽度。根据本申请的其他实施例，还提供了形成半导体结构的方法。还提供了形成半导体结构的方法。还提供了形成半导体结构的方法。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件和半导体结构及其形成方法


[0001]本申请的实施例涉及半导体器件、半导体结构以及形成半导体结构的方法。

技术介绍

[0002]半导体图像传感器装置用于感测传入的可见或不可见辐射，例如可见光和红外光。这些图像传感器利用可以包括光电二极管和晶体管的像素阵列来吸收(例如，感测)入射辐射并将感测至的辐射转换为电信号。半导体图像传感器的一个实例是互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器。CMOS图像传感器用于各种应用，诸如计算机、数码相机、手机、平板电脑、护目镜和科学仪器。

技术实现思路

[0003]根据本申请的一个实施例，提供了一种半导体结构，包括：在衬底上的第一沟槽填充结构，其中第一沟槽填充结构具有第一宽度和凸底表面；以及在衬底上的第二沟槽填充结构。其中，第二沟槽填充结构具有凹底表面；以及第二沟槽填充结构具有大于第一宽度的第二宽度。
[0004]根据本申请的另一个实施例，提供了一种半导体器件，包括：第一芯片，其中，第一芯片包括：在第一芯片的第一侧上的多个像素；将多个像素彼此隔离的第一沟槽填充结构和第二沟槽填充结构本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，包括：在衬底上的第一沟槽填充结构，其中所述第一沟槽填充结构具有第一宽度和凸底表面；以及在所述衬底上的第二沟槽填充结构，其中：所述第二沟槽填充结构具有凹底表面；以及所述第二沟槽填充结构具有大于所述第一宽度的第二宽度。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第一沟槽填充结构具有第一深度并且所述第二沟槽填充结构具有第二深度，并且其中所述第一和第二深度之间的差值与所述第一深度的比率小于约20％。3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第二沟槽填充结构还包括在所述凹底表面处的突起和凹槽，并且所述突起和所述凹槽之间的距离在约至约之间的范围内。4.根据权利要求3所述的半导体结构，其中，所述距离与所述第一沟槽填充结构的深度的比率在约0.02％至约5％的范围内。5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第一沟槽填充结构具有深度，并且其中，所述深度与所述第一宽度的比在约20至约100的范围内。6.根据权利要求5所述的半导体结构，其中，所述深度在约2μm至约4μ...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘铭棋，卢玠甫，徐鸿文，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：