本发明的实施例提供了一种电路器件，包括：第一加法器，具有第一加法器输入和第一加法器输出；第一寄存器，具有第一寄存器输入和第一寄存器输出，第一寄存器输入连接至第一加法器输出；第二寄存器，具有第二寄存器输入和第二寄存器输出，第二寄存器输入连...

示例性器件包括衬底延伸部分上方的沟道层堆叠件、栅极和绝缘层。沟道层堆叠件在第一外延源极/漏极和第二外延源极/漏极之间延伸。栅极围绕沟道层堆叠件的每个沟道层。绝缘层位于衬底延伸部分上方，栅极位于沟道层堆叠件的最底部沟道层和绝缘层之间，并且...

根据本申请的实施例提供了制造半导体器件的方法。在制造半导体器件的方法中，获得初始图案布局。初始图案布局包括鳍图案，鳍图案包括将形成为有源鳍结构的有源鳍图案和不形成为实际鳍结构或者将被去除的伪鳍图案。鳍图案的位置被修改如下。将相邻的有源鳍...

本发明的实施例提供了一种IC器件，包括：沿第一方向延伸并且承载电源和参考电压中的一个的第一电源轨和第二电源轨；在第一电源轨和第二电源轨之间延伸并且承载电源和参考电压中的另一个的第三电源轨；以及多个晶体管，包括在第一电源轨和第二电源轨之间...

本实用新型提供一种存储器结构与半导体装置。所述存储器结构包括衬底。存储器结构还包括第一晶体管，其中第一晶体管距衬底第一距离。存储器结构还包括第二晶体管，其中第二晶体管距衬底第二距离，且第一距离不同于第二距离，且第一晶体管的第一源极/漏极...

本揭露提供有源组件、半导体组件以及半导体芯片。有源组件包括：通道层；顶源极/漏极电极，设置于通道层的顶侧；第一与第二底源极/漏极电极，设置于通道层的底侧；第一与第二栅极结构，位于顶源极/漏极电极与第一底源极/漏极电极之间，其中第一栅极结...

本发明的实施例提供了一种制造半导体器件的方法以及半导体器件。在制造半导体器件的方法中，形成鳍结构，其中，第一半导体层和第二半导体层交替堆叠在从衬底突出的底部鳍结构上方。在鳍结构上方形成牺牲栅极结构。蚀刻鳍结构的源极/漏极区，从而形成源极...

本公开多种实施例直指一种集成芯片(IC)，包括下方栅极电极，设置于介电结构中。第一铁电结构覆盖下方栅极电极。第一浮动电极结构覆盖第一铁电结构。通道结构覆盖第一浮动电极结构。第二浮动电极结构覆盖通道结构。第二铁电结构覆盖第二浮动电极结构。...

本公开涉及半导体结构和制造半导体结构的方法。一种半导体结构包括第一管芯、第二管芯和管芯间过孔(IDV)。第一管芯包括互连结构和电连接到互连结构的CMOS器件。第二管芯包括存储器元件，该存储器元件包括第一电极、位于第一电极上的铁电层和位于...

场效应晶体管可以包括有源层，该有源层包含至少两种原子元素的氧化物化合物材料并且位于衬底上方，至少两种原子元素包括锡的第一元素和选自Ge、Si、P、S、F、Ti、Cs和Na的第二元素。场效应晶体管还可以包括位于有源层上的栅极电介质、位于栅...

一种光阻剂、半导体装置的制造方法及极紫外线微影术方法，制造半导体装置的方法包括以下步骤：在基板上形成光阻剂层，将光阻剂层选择性地曝露于EUV辐射，及显影选择性地曝光的光阻剂层。光阻剂层的组成物包括溶剂及光敏化合物，该光敏化合物溶解于溶剂...

一种记忆体装置及其操作方法以及记忆体系统，记忆体装置包括：包括第一记忆体单元及第二记忆体单元的多个记忆体单元、连接至第一记忆体单元的第一位元线、连接至第二记忆体单元的第二位元线、连接至第一及第二记忆体单元的第一字元线、连接至第一位元线的...

一些实施例关于一种集成芯片结构。集成芯片结构包括具有第一组件区与第二组件区的衬底。多个第一晶体管组件配置在第一组件区中且分别包括配置在第一栅极结构的相对侧上的外延源极/漏极区。外延源极/漏极区包括外延材料。多个第二晶体管组件配置在第二组...

本公开涉及一种存储器件。在一个方面中，存储器件包括存储器单元、预充电电路、复位电压控制电路和逻辑控制电路。在一个方面中，预充电电路被配置为将位线的电压设置为第一电压电平。在一个方面中，复位电压控制电路包括晶体管，其耦合到位线以将位线的电...

半导体结构包括：衬底；有源区域的第一列，位于衬底上方；有源区域的第二列，位于衬底上方；以及伪填充，从顶视图观察，伪填充设置在第一列和第二列之间。伪填充包括多个伪区域。多个伪区域的第一伪区域设置在有源区域的第一列中的第一有源区域和有源区域...

实施例是形成半导体结构的方法，包括：在第一衬底上方形成第一互连结构，第一互连结构包括介电层和位于介电层中的金属化图案，在第一互连结构上方形成再分布通孔，再分布通孔电耦接至第一互连结构的金属化图案中的至少一个，在再分布通孔上方形成再分布焊...

一个电路包括参考电压节点、第一和第二数据线、感测放大器、耦合于第一和第二数据线以及感测放大器的第一和第二输入端之间的第一和第二开关组件、耦合于第一和第二数据线之间与第一和第二节点之间的第三和第四开关组件、在第一和第二节点与参考电压节点之...

一种半导体装置及其制造方法，根据本公开的一方面，在制造半导体装置的方法中，形成下层图案以及上层图案，下层图案包括具有第一间距的第一周期性图案，上层图案包括具有不同于第一间距的第二间距的第二周期性图案。第一周期性图案在平面图中至少部分地重...

本揭露涉及用于从晶圆载台的盒中连接和/或移除紧固件的系统和方法。该系统包括一个机器人手臂，在机器人手臂的远程配置有一个螺丝工具组件。螺丝工具组件包括配制为容纳紧固件的下部套筒。螺丝旋具设置在于螺丝旋具组件的上部套筒内，并提供用以旋转螺丝...

鳍式场效应晶体管(FinFET)包括半导体衬底、多个绝缘体、栅极堆叠件和应变材料。半导体衬底包括位于半导体衬底上的至少一个半导体鳍。半导体鳍包括源极/漏极区和沟道区，并且源极/漏极区的宽度大于沟道区的宽度。绝缘体设置在半导体衬底上并且绝...