一种操作记忆体的方法包括：跨记忆体单元施加第一电压脉冲，其中记忆体单元包含选择器，其中第一电压脉冲将选择器切换至导通状态；在施加第一电压脉冲之后，跨记忆体单元施加第二电压脉冲，其中在施加第二电压脉冲之前，选择器具有第一电压临界，其中在施...

本发明提供一种制造半导体装置的方法包括：将一个或多个半导体晶圆装载到工艺腔室内提供的多个站中；将工艺应用于半导体晶圆其中沉积应用于材料上的一个或多个半导体晶圆内的工艺腔室；和清洗工艺腔室。适宜地，清洗和工艺腔室包括将清洗气体流向工艺腔室...

本发明的实施例提供了一种半导体器件，包括：半导体衬底；第一鳍结构，突出于半导体衬底；第二鳍结构，突出于所述半导体衬底；碳阻挡区，设置在所述半导体衬底的位于所述第一鳍结构和所述第二鳍结构之间的区域；第一p型阱区，设置在所述第一鳍结构下面的...

本发明涉及图像传感器集成芯片。图像传感器集成芯片包括设置在具有第一半导体材料区域的衬底内的光电二极管区域。第二半导体材料区域设置在衬底上。图案化掺杂层布置在衬底和第二半导体材料区域之间。第二半导体材料区域包括连接至第二半导体材料区域的底...

本申请公开了碳纳米管生长、催化剂去除、氮化硼纳米管壳形成方法。提供了一种用于形成用于极紫外光刻的防护膜的方法。该方法包括在过滤薄膜之上形成防护薄膜并且将防护薄膜从过滤薄膜转移到薄膜边界。形成防护薄膜包括在反应器的第一反应区域中从原位形成...

一种等离子体蚀刻半导体晶片的方法包括：将半导体晶片固定到工艺腔室内的安装平台，使得半导体晶片的外边缘被其中具有多个穿孔的倾斜的环状的环围绕，倾斜的环状的环具有在倾斜的环状的环的第一端的内边缘及在倾斜的环状的环的第二端的外边缘。合适地，第...

一种半导体结构，包含第一多栅极装置、第二多栅极装置和隔离结构。第一多栅极装置具有第一通道层沿第一方向在第一外延源极/漏极之间延伸。第二多栅极装置具有第二通道层沿第一方向在第二外延源极/漏极之间延伸。第一外延源极/漏极和第二外延源极/漏极...

在一些实施例中，本公开涉及集成芯片。集成芯片包括介电结构，设置在衬底上；多个导电互连层，设置在所述介电结构内，其中所述多个导电互连层包括互连导线和互连通孔的交替层；以及金属

修改用于集成电路(IC)的布局的方法包括：在布局中选择要缩放的电路区域；在所选电路区域中设置包括固定部件的固定区域；以及缩放所选电路区域，而不缩放包括固定部件的固定区域，以获得IC的修改布局。本申请的实施例还涉及修改用于IC的布局的系统...

本申请的实施例提供了存储器电路及其操作方法。存储器电路包括被配置为储存数据的存储器单元组，以及耦接到全局位线和存储器单元组的局部输入输出(LIO)电路。LIO电路包括感测放大器、驱动器电路和助推电路。感测放大器被配置为至少响应于感测放大...

本公开涉及半导体器件的接触特征及其形成方法。一种方法包括在外延源极/漏极区域之上形成电介质层，在电介质层中形成开口。开口暴露外延源极/漏极区域的一部分。在开口的侧壁和底部上形成阻挡层。对开口的侧壁和底部执行氧化工艺。氧化工艺将阻挡层的一...

公开了用于在半导体器件中形成改进的隔离部件的方法以及由该方法形成的半导体器件。在实施例中，制造半导体器件的方法包括在衬底中蚀刻第一沟槽；利用第一可流动化学气相沉积工艺在第一沟槽中沉积第一绝缘层；利用第二可流动化学气相沉积工艺在第一绝缘层...

方法包括：形成封装件，封装件包括光学管芯和附接至光学管芯的保护层。光学管芯包括：微透镜，保护层和微透镜位于光学管芯的同一侧上。方法还包括：将封装件密封在密封剂中；平坦化密封剂以露出保护层；以及去除保护层以在密封剂中形成凹槽。光学管芯位于...

本公开总体涉及制造半导体器件的方法和半导体器件。在一种制造半导体器件的方法中，在电介质层中的第一导电层之上形成开口，在开口中的第一导电层之上形成第二导电层，而不在电介质层的至少上表面上形成第二导电层，在开口中的第二导电层之上形成第三导电...

在本公开的一些方面中，公开了一种存储器件。在一些方面中，存储器件包括布置成阵列的多个存储器单元、连接到多个存储器单元以从每个存储器单元输出数据信号的输入/输出(I/O)接口、以及控制电路。在一些实施例中，控制电路包括第一时钟发生器，用于...

一种半导体元件包括形成在基材的第一侧上的第一晶体管。该半导体元件包括垂直地设置在第一晶体管上方的第一电源轨结构、垂直地设置在第一电源轨结构上方的第二电源轨结构以及垂直地设置在第二电源轨结构上方的记忆体部位。第一电源轨结构、第二电源轨结构...

一种记忆体系统及其控制方法。本文所揭露的一实施例的内容是关于一种包含一组记忆体单元及记忆体控制器的记忆体装置。在一个态样中，该组记忆体单元中的每一者包含串联连接在对应位元线与对应源极线之间的选择晶体管及储存部件。在一个态样中，记忆体控制...

形成半导体器件的方法包括：在半导体区域上形成伪栅极堆叠件，在伪栅极堆叠件的侧壁上形成栅极间隔件，去除伪栅极堆叠件以在栅极间隔件之间形成凹槽，以及在半导体区域上形成氧化硅层。氧化硅层延伸至凹槽中。在氧化硅层上方沉积高k介电层，并且在高k介...

本公开描述了互连结构及其形成方法。在一些实施例中，该结构包括设置在一个或多个器件之上的第一电介质层、设置在第一电介质层中的第一导电特征、设置在第一电介质层中的第二导电特征、设置在第一电介质层上的蚀刻停止层、设置在蚀刻停止层上的第二电介质...

本揭露涉及一种包括铁电层的集成芯片。铁电层包括铁电材料。第一松弛层包括与铁电材料不同的第一材料，且位于铁电层的第一侧上。第二松弛层包括与铁电材料不同的第二材料，且位于铁电层的第二侧上，第二侧与第一侧相对。第一松弛层的杨氏模量小于铁电层的...