碳纳米管生长、催化剂去除、氮化硼纳米管壳形成方法技术

本申请公开了碳纳米管生长、催化剂去除、氮化硼纳米管壳形成方法。提供了一种用于形成用于极紫外光刻的防护膜的方法。该方法包括在过滤薄膜之上形成防护薄膜并且将防护薄膜从过滤薄膜转移到薄膜边界。形成防护薄膜包括在反应器的第一反应区域中从原位形成的金属催化剂颗粒生长碳纳米管(CNT)，CNT中的每一个在其生长尖端处包括金属催化剂颗粒，在第一反应区域的下游的反应器的第二反应区域中生长氮化硼纳米管(BNNT)以围绕单个CNT，从而形成各自包括CNT核和BNNT壳的异质结构纳米管，以及将异质结构纳米管收集在过滤薄膜上。将异质结构纳米管收集在过滤薄膜上。将异质结构纳米管收集在过滤薄膜上。

【技术实现步骤摘要】
碳纳米管生长、催化剂去除、氮化硼纳米管壳形成方法


[0001]本公开总体涉及用于EUV薄膜的同时碳纳米管生长、催化剂去除、氮化硼纳米管壳形成方法。

技术介绍

[0002]在半导体集成电路(IC)行业，IC材料和设计的技术进步已经产生了几代IC，每一代IC都比上一代更小且更复杂。在IC演变过程中，功能密度(例如，单位芯片面积的互连器件的数量)通常增大，而几何尺寸(例如，使用制造工艺能够制造的最小部件(或线))减小。这种按比例缩小工艺通常通过提高生产效率和降低相关成本来提供益处。这种按比例缩小也增加了IC加工和制造的复杂性。

技术实现思路

[0003]根据本公开的第一方面，提供了一种用于形成用于极紫外光刻的防护膜的方法，包括：在过滤薄膜之上形成防护薄膜，其中，形成所述防护薄膜包括：在反应器的第一反应区域中从原位形成的金属催化剂颗粒生长碳纳米管(CNT)，所述CNT中的每一个在其生长尖端处包括金属催化剂颗粒；在所述第一反应区域的下游的所述反应器的第二反应区域中生长氮化硼纳米管(BNNT)以围绕单个CNT，从而形成各自包括CNT核和BN本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于形成用于极紫外光刻的防护膜的方法，包括：在过滤薄膜之上形成防护薄膜，其中，形成所述防护薄膜包括：在反应器的第一反应区域中从原位形成的金属催化剂颗粒生长碳纳米管(CNT)，所述CNT中的每一个在其生长尖端处包括金属催化剂颗粒；在所述第一反应区域的下游的所述反应器的第二反应区域中生长氮化硼纳米管(BNNT)以围绕单个CNT，从而形成各自包括CNT核和BNNT壳的异质结构纳米管，其中，所述金属催化剂颗粒在生长所述BNNT期间被部分或完全地去除；以及将所述异质结构纳米管收集在所述过滤薄膜上；以及将所述防护薄膜从所述过滤薄膜转移到薄膜边界。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述防护薄膜包括小于0.01原子％的催化剂金属。3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述防护薄膜不含所述催化剂金属。4.根据权利要求1所述的方法，其中，生长所述CNT包括：将包括由载气载送的碳源、催化剂前驱物和助催化剂的原料供应到所述反应器的第一反应区域；加热所述反应器的第一反应区域以保持沿所述第一反应区域的长度的温度梯度；加热所述催化剂前驱物，以使所述催化剂前驱物分解，从而形成所述金属催化剂颗粒；以及加热所述碳源以引起由所述金属催化剂颗粒催化的所述碳源的分解以提供碳原子并从所述金属催化剂颗粒生长所述CNT。5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述温度梯度为500℃至1100℃。6.根据权利要求4所述的方法，其中，所述碳源包括一氧化碳，所述催化剂前驱物包括二茂铁，并且所述助催化剂包括噻吩。7.根据权利要求4所述的方法，其中，所述载气包括氢气。8.根据权利要求1所述的方法，其中，生...

【专利技术属性】
技术研发人员：许倍诚，李环陵，李信昌，林进祥，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：