记忆体系统及其控制方法技术方案

一种记忆体系统及其控制方法。本文所揭露的一实施例的内容是关于一种包含一组记忆体单元及记忆体控制器的记忆体装置。在一个态样中，该组记忆体单元中的每一者包含串联连接在对应位元线与对应源极线之间的选择晶体管及储存部件。在一个态样中，记忆体控制器用以：将第一写入电压施加至耦接至选定记忆体单元的位元线；在第一时间周期期间，将第二写入电压施加至耦接至选定记忆体单元的选择晶体管的栅极电极的字元线；及将第三写入电压施加至耦接至选定记忆体单元的源极线。第二写入电压可以介于第一写入电压与第三写入电压之间。以介于第一写入电压与第三写入电压之间。以介于第一写入电压与第三写入电压之间。

【技术实现步骤摘要】
记忆体系统及其控制方法


[0001]本案的一实施例是关于一种记忆体装置，特别是关于一种包含记忆体控制器的记忆体装置。

技术介绍

[0002]诸如计算机、可携式装置、智能手机、物联网(internet of thing，IoT)装置等电子装置的发展已经促使对记忆体装置的需求增加。通常，记忆体装置可为挥发性记忆体装置及非挥发性记忆体装置。挥发性记忆体装置可在供电时储存数据，但一旦断电，可能丢失储存的数据。与挥发性记忆体装置不同，非挥发性记忆体装置即使在断电后仍可保持数据，但可能比挥发性记忆体装置慢。

技术实现思路

[0003]根据本案的一实施例提供一种记忆体系统，记忆体系统包含：一组记忆体单元及记忆体控制器，这组记忆体单元中的每一者包含串联连接在对应位元线与对应源极线之间的选择晶体管及储存部件。记忆体控制器耦接至这组记忆体单元，记忆体控制器在第一时间周期期间将第一写入电压施加至耦接至这组记忆体单元中的选定记忆体单元的位元线，以将数据写入选定记忆体单元。记忆体控制器在第一时间周期期间，将第二写入电压施加至字元线，字元线耦接至选定记忆体本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种记忆体系统，其特征在于，包含：一组记忆体单元，该组记忆体单元中的每一者包含串联连接在一对应位元线与一对应源极线之间的一选择晶体管及一储存部件；及一记忆体控制器，耦接至该组记忆体单元，该记忆体控制器用于：在一第一时间周期期间将一第一写入电压施加至耦接至该组记忆体单元中的一选定记忆体单元的一位元线，以将数据写入该选定记忆体单元；在该第一时间周期期间，将一第二写入电压施加至一字元线，该字元线耦接至该选定记忆体单元的一选择晶体管的一栅极电极；及在该第一时间周期期间，将一第三写入电压施加至耦接至该选定记忆体单元的一源极线，该第二写入电压介于该第一写入电压与该第三写入电压之间。2.如权利要求1所述的记忆体系统，其特征在于，该记忆体控制器用于：在该第一时间周期期间，将该第二写入电压施加至耦接至一未选记忆体单元的一另一位元线，该未选记忆体单元耦接至该源极线；及在该第一时间周期期间，将该第三写入电压施加至耦接至该未选记忆体单元的一另一选择晶体管的一另一栅极电极的一另一字元线。3.如权利要求1所述的记忆体系统，其特征在于，该记忆体控制器用于：在一第二时间周期期间将一第一读取电压施加至耦接至该组记忆体单元中的一另一选定记忆体单元的一另一位元线，以读取由该另一选定记忆体单元储存的数据；在该第二时间周期期间，将一第二读取电压施加至耦接至该另一选定记忆体单元的一另一源极线；及在该第二时间周期期间，将一第三读取电压施加至耦接至该另一选定记忆体单元的一另一栅极电极的一另一字元线，该第一读取电压介于该第二读取电压与该第三读取电压之间。4.如权利要求3所述的记忆体系统，其特征在于，该记忆体控制器用于：在该第二时间周期期间，将该第一读取电压施加至耦接至一未选记忆体单元的一附加源极线，该未选记忆体单元耦接至该另一位元线。5.如权利要求3所述的记忆体系统，其特征在于，该记忆体控制器用于：在该第二时间周期期间，将该第二读取电压施加至耦接至一未选记忆体单元的一附加位元线，该未选记忆体单元耦接至该另一源极线；及在该第二时间周期期间，将该第二读取电压施加至耦接至该未选记忆体单元的一附加栅极电极的一附加字元线。6.如权利要求1所述的记忆体系统，其特征在于，该记忆体控制器用于：在一第二时间周期期间将一第一读取电压施加至耦接至该组记忆体单元中的一另一选定记忆体单元的一...

【专利技术属性】
技术研发人员：喻鹏飞，王奕，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：