本公开提供了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：第一单元、介电层和通道结构。第一单元具有输出端子。介电层设置在第一单元上。通道结构设置在介电层中。通道结构包括第一导电结构、第一导电层和第二导电结构。第一导电层电连接到单元的输出...

本申请的实施例提供了一种集成电路器件和制造方法以及制造半导体器件的方法，制造集成电路(IC)器件的方法包括以下操作：在半导体衬底上形成第一金属图案(Mx)，使用区域选择性沉积(ASD)在第一金属图案上形成包括形成在第一金属图案的相反边缘...

描述了形成半导体器件结构的方法。在一些实施例中，所述方法包括：从衬底形成鳍；在所述鳍的一些部分之上形成栅极堆叠；邻近所述栅极堆叠形成外延源极/漏极区；在所述外延源极/漏极区之上沉积电介质层；在所述电介质层中形成开口；以自下而上的方式在所...

一种延迟增强反向器、缓冲器及半导体装置，延迟增强反向器包括：非延迟增强反向器，其在第一节点处具有输出，在第二节点处具有输入；及在第一节点与第二节点之间反馈耦合的电容性装置。电容性装置包括：在第一节点与第二节点之间反馈耦合的第一正通道金属...

本实用新型实施例涉及一种集成电路装置，其通过在金属互连件中的金属化层之间插入金属层

本文描述半导体装置及其制造方法。此方法包括形成栅电极及位于栅电极上方的栅电极接触层；在栅电极接触层上方形成介电层；以及执行穿过介电层的蚀刻，蚀刻形成暴露栅电极接触层的开口。此方法进一步包括通过将开口暴露于电浆来对通过蚀刻工艺形成的开口进...

一种沉积装置，包括一磁屏蔽。磁屏蔽减少腔室中的外部噪声，腔室包括标靶以及至少一电磁铁用于铜物理气相沉积。屏蔽可具有厚度，在大约0.1毫米至大约10毫米的范围内，以提供足够的保护免受射频以及其他电磁信号的影响。因此，腔室中的铜原子遭受较少...

本公开的各种实施例是针对一种集成芯片(IC)及其形成方法，其包括设置于基板中的第一电极结构。第一铁电结构设置于第一电极结构的第一侧。通道结构设置于第一铁电结构的第一侧。通道结构包括多个个别的通道结构以及多个绝缘结构。多个个别的通道结构以...

本公开提出一种半导体装置及其形成方法。在替换栅极工艺(虚设栅极结构被替换栅极结构替换)之前或期间修整或蚀刻包括在半导体装置中的虚设栅极结构的侧壁上的间隔物层。执行自由基表面处理操作以蚀刻间隔物层，其为一种使用等离子体产生自由基的等离子体...

本公开描述了一种半导体装置结构及其形成方法。所述结构包括：设置于基板之上的第一通道区；与第一通道区相邻设置的第二通道区；设置于第一及第二通道区中的栅极层；与栅极层相邻设置的第一介电部件。所述第一介电部件包括具有第一厚度的第一介电材料。所...

公开一种确定存储在存储器电路的位的位状态的方法及存储器电路。在一些实施例中，存储器电路包括被配置成对位进行存储的存储单元。参考线被配置成接收参考信号且数据线被配置成接收数据信号。数据线被配置成选择性地耦合到存储单元。充电电压选择单元被配...

一种记忆体装置及其形成方法，方法包括：在基板上方形成晶体管；及在晶体管上方形成电阻元件，其中形成电阻元件包括形成电连接至晶体管的源极/漏极区的下电极；在下电极上方形成电阻切换层，其中电阻切换层由金属卤化物制成；及在电阻切换层上方形成上电...

本公开的各种实施例针对堆叠互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器，其中像素传感器遍及多个集成电路(IC)芯片并且在布置有像素传感器的光电探测器的第一IC芯片处仅具有第一栅极介电厚度。此外，像素传感器在与第一集成电路芯片堆叠的第二集成...

本文的实施例描述了一种半导体器件和操作方法以及一种脉冲幅度调制(PAM)驱动器。在一个实施例中，PAM驱动器包括被配置为输出第一电压的第一高速缓冲器、被配置为输出第二电压的第二高速缓冲器，以及连接至第一高速缓冲器和第二高速缓冲器的多个晶...

根据本申请的实施例提供了一种半导体器件，包括半导体器件结构，包括第一介电层。第一多个纳米结构设置在第一介电层上，第一多个纳米结构彼此重叠。第一源极/漏极区域横向地邻近第一多个纳米结构的第一侧设置。第二介电层在第一源极/漏极区域的第一侧上...

本公开提出一种半导体结构。半导体裸片可以包括位于内连线级介电材料层内的金属内连线结构、位于最顶部内连线级介电材料层上的接合垫、位于最顶部内连线级介电材料层上的介电钝化层以及延伸穿过介电钝化层且位于接合垫上的金属凸块结构。每个金属凸块结构...

提供半导体装置的形成方法。两步骤蚀刻技术用于氧化物界定边缘上连续多晶硅(CPODE)凹蚀制程，以形成其中要形成CPODE结构的凹槽。两步骤制程包含使用等向性蚀刻技术进行第一蚀刻操作，其中虚设栅极结构中的凹槽形成至第一深度。使用非等向性蚀...

一种半导体装置及其形成方法，形成半导体装置的方法包括：在一基板的一第一区上方形成一第一虚设栅极结构且在该基板的一第二区上方形成一第二虚设栅极结构，该基板的该第一区及该第二区具有一第一复合物，该第一复合物具有一第一蚀刻速度；侧向相邻于该第...

一种半导体元件及其形成方法，形成半导体元件的方法包含沉积第一介电层于第一半导体鳍和第二半导体鳍的多个侧壁上方并沿着多个侧壁，其中第一半导体鳍和第二半导体鳍从半导体基板向上延伸，沉积第二介电层于第一介电层上方，沉积第三介电层于第二介电层上...

一种集成电路(integrated circuit，IC)装置，包含一主闩锁电路，具有一第一时脉输入与一数据输出、一副闩锁电路，具有一第二时脉输入与一数据输入，电性耦接至该主闩锁电路的该数据输出、以及一时脉电路。该时脉电路通过一第一电连...