半导体器件及其制造方法技术

本公开提供了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：第一单元、介电层和通道结构。第一单元具有输出端子。介电层设置在第一单元上。通道结构设置在介电层中。通道结构包括第一导电结构、第一导电层和第二导电结构。第一导电层电连接到单元的输出端子。第一导电层设置在第一导电结构上并电连接到第一导电结构。第二导电结构设置在第一导电层上并电连接到第一导电层。第二导电结构具有掩埋在介电层中的最顶部导电层。介电层中的最顶部导电层。介电层中的最顶部导电层。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其制造方法


[0001]本申请的实施例涉及半导体器件及其制造方法。

技术介绍

[0002]失效分析(FA)广泛用于半导体行业，并且可以检测半导体器件(诸如集成电路(IC))中的缺陷。然而，随着半导体器件的设计变得更加复杂，检测半导体器件中的缺陷的准确度变差。

技术实现思路

[0003]根据本申请的实施例的一个方面，提供了一种半导体器件，包括：第一扫描触发器电路，具有输出端子；第二扫描触发器电路，具有输入端子；扫描输入路径，形成在第一扫描触发器电路的输出端子和第二扫描触发器电路的输入端子之间；以及通道结构，连接到扫描输入路径，其中，通道结构电连接到第一扫描触发器电路的输出端子和第二扫描触发器电路的输入端子，以及其中，第二导电结构具有掩埋在半导体器件的介电层中的最顶部导电层。
[0004]根据本申请的实施例的另一个方面，提供了一种半导体器件，包括：第一单元，具有输出端子，其中输出端子具有第一电位；通道结构。通道结构包括：第一导电结构，电连接到第一单元的输出端子；第一导电层，电连接到第一导电结构；和第二导电结构，电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：第一扫描触发器电路(11)，具有输出端子(111/Q)；第二扫描触发器电路(15)，具有输入端子(151/SI)；扫描输入路径(SP)，形成在所述第一扫描触发器电路的所述输出端子和所述第二扫描触发器电路的所述输入端子之间；以及通道结构(20)，连接到所述扫描输入路径，其中，所述通道结构电连接到所述第一扫描触发器电路(11)的所述输出端子(111/Q)和所述第二扫描触发器电路的所述输入端子，以及其中，第二导电结构(23)具有掩埋在半导体器件的介电层(10)中的最顶部导电层(233)。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述最顶部导电层(23)具有背向所述第一扫描触发器电路(11/14)并且由所述介电层的部分覆盖的第一表面(2331)。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述通道结构(20)包括多个第一通孔柱。4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述通道结构(20)包括第一导电层，并且其中，所述第一导电结构的所述多个第一通孔柱具有连接到所述第一导电层的第一导电通孔。5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述通道结构(20)包括连接到所述最顶部导电层的多个第二通孔柱。6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述第二导电结构的所述多个第二通孔柱具有连接到所述第一导电层(22)的第一导电通孔柱。7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述通道结构(20)包括连接所述第一扫描触发器...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭士玮，林威呈，曾健庭，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：