形成半导体器件结构的方法技术

描述了形成半导体器件结构的方法。在一些实施例中，所述方法包括：从衬底形成鳍；在所述鳍的一些部分之上形成栅极堆叠；邻近所述栅极堆叠形成外延源极/漏极区；在所述外延源极/漏极区之上沉积电介质层；在所述电介质层中形成开口；以自下而上的方式在所述开口中形成间隙填充物。所述间隙填充物包括Si或W。所述方法还包括：在所述外延源极/漏极区之上形成导电特征；以及以电介质材料代替所述间隙填充物。以及以电介质材料代替所述间隙填充物。以及以电介质材料代替所述间隙填充物。

【技术实现步骤摘要】
形成半导体器件结构的方法


[0001]本公开涉及形成半导体器件结构的方法。

技术介绍

[0002]半导体器件被用于各种电子应用中，例如，个人计算机、蜂窝电话、数码相机、以及其他电子设备。半导体器件通常通过以下方式来制造：在半导体衬底之上顺序地沉积材料的绝缘层或电介质层、导电层和半导体层，并使用光刻对各个材料层进行图案化，以在其上形成电路组件和元件。
[0003]半导体行业通过不断减小最小特征尺寸来不断提高各种电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度，这允许将更多的组件集成到给定区域中。然而，随着最小特征尺寸的减小，出现了需要解决的附加问题。

技术实现思路

[0004]根据本公开的一方面，提供了一种形成半导体器件结构的方法，包括：从衬底形成鳍；在所述鳍的一些部分之上形成栅极堆叠；邻近所述栅极堆叠形成外延源极/漏极区；在所述外延源极/漏极区之上沉积电介质层；在所述电介质层中形成开口；以自下而上的方式在所述开口中形成间隙填充物，其中，所述间隙填充物包括Si或W；在所述外延源极/漏极区之上形成导电特征；以及以本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种形成半导体器件结构的方法，包括：从衬底形成鳍；在所述鳍的一些部分之上形成栅极堆叠；邻近所述栅极堆叠形成外延源极/漏极区；在所述外延源极/漏极区之上沉积电介质层；在所述电介质层中形成开口；以自下而上的方式在所述开口中形成间隙填充物，其中，所述间隙填充物包括Si或W；在所述外延源极/漏极区之上形成导电特征；以及以电介质材料代替所述间隙填充物。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述间隙填充物包括Si，并且形成所述间隙填充物包括：在范围为约620摄氏度至约900摄氏度的处理温度下使用硅烷作为前体。3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述间隙填充物包括W，并且形成所述间隙填充物包括：在范围为约250摄氏度至约650摄氏度的处理温度下使用六氟化钨和氢气作为前体。4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述间隙填充物通过低压工艺形成，所述低压工艺具有范围为约1mTorr至约100mTorr的处理压力。5.根据权利要求4所述的方法，其中，通过离子辅助工艺形成所述间隙填充物。6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述电介质材料和所述电介质层包括相同的材料。7.根据权利要求6所述的方法，还包括：在所述外延源极/漏极区之上形成接...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄玉莲，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：