一种用于在具有中央区和外部边缘的半导体晶片上形成有均匀厚度的层的方法及旋涂机。所述方法包括在半导体晶片的中央区处上沉积一层涂布材料，所述层由涂布材料形成；使半导体晶片围绕轴线旋转，藉由离心力促使涂布材料从中央区向半导体晶片的外部边缘扩展...

本发明实施例涉及一种背照式BSI图像传感器，其包含：衬底，其包含正面及与所述正面对置的背面；多个像素传感器，其布置成阵列；隔离栅格，其安置于所述衬底中且使所述多个像素传感器彼此分离；及反射栅格，其在所述衬底的所述背面上安置于所述隔离栅格...

本公开涉及半导体器件的栅极结构及其形成方法。提供了一种半导体器件及其形成方法。该方法包括形成从衬底延伸的鳍。在鳍之上形成虚设栅极。虚设栅极沿着鳍的侧壁和顶表面延伸。去除虚设栅极以形成凹部。在凹部中形成替换栅极。形成替换栅极包括沿着凹部的...

在一些实施例中，本发明实施例涉及一种存储器器件及用于搜索存储器器件的方法。所述存储器器件包括排列成行及列且被配置成分别存储多个数据状态的多个内容可寻址存储器(CAM)单元。所述多个CAM单元中的一CAM单元包括：第一铁电存储元件；多个字...

本公开实施例提供一种形成封装结构的方法，包括形成管芯，在管芯侧边形成包封体，以包封且接触管芯的衬底和钝化层的侧壁。形成管芯包括形成第一接垫与第二接垫、钝化层以及连接件。形成连接件包括形成晶种层。晶种层包括第一晶种子层以及位于第一晶种子层...

本实用新型提供一种包括多个记忆胞的存储器装置，所述多个记忆胞中的至少一者包括第一晶体管、第二晶体管及第三晶体管。第一晶体管包括第一漏极/源极路径及电性耦合至写入字线的第一栅极结构。第二晶体管包括第二漏极/源极路径及电性耦合至第一晶体管的...

本公开实施例提供一种半导体装置。半导体装置包括有源区。设置于有源区上方的金属栅极电极。设置于金属栅极电极上方的导电层。设置于导电层的第一部分上方的含硅层。设置于导电层的第二部分上方的介电层。垂直地延伸穿过含硅层的栅极通孔。栅极通孔设置于...

一种封装结构包括电路基底、封装元件及模制层。封装元件设置于电路基底上且与电路基底电性连接。模制层设置于电路基底之上且至少覆盖电路基底的顶表面。模制层包括第一部分及第二部分，所述第一部分包绕于封装元件的侧壁周围且具有第一厚度，第二部分环绕...

本公开总体涉及使用STI帽盖层进行应力调制以减少鳍弯曲。一种方法包括：蚀刻半导体衬底以形成半导体条带和凹部，其中半导体条带的侧壁暴露于凹部；将电介质层沉积到凹部中；以及在电介质层之上沉积帽盖层。帽盖层延伸到凹部中，并且包括氮氧化硅。该方...

所公开的方法在下层中采用酸产生剂组分。由酸产生剂组分产生的酸扩散到上覆层，例如，光刻胶层，并提供酸，使光刻胶发生化学变化，例如，改变光刻胶在显影剂溶液中的溶解度。扩散到上覆的光刻胶层中的酸增加了酸在光刻胶下部的浓度和浓度的均匀性。光刻胶...

公开了一种形成导电部件的改进方法和由该方法形成的半导体器件。在实施例中，方法包括形成延伸穿过第一介电层的金属线，金属线电耦合到晶体管；在金属线上选择性地沉积牺牲材料；在第一介电层上方并邻近牺牲材料选择性地沉积第一介电材料；在第一介电材料...

一种方法包括：接收集成电路的布局；基于布局识别至少一个第一网络和至少一个第二网络，其中第一网络沿垂直方向延伸穿过集成电路，并且第二网络沿垂直方向终止于集成电路的中间部分；将集成电路划分为多个网格单元，其中第一网络由多个网格单元的第一子集...

本发明提供一种中介层，包括重布线结构、多个第一导电端子以及多个第二导电端子。多个第一导电端子设置于第一表面上。多个第一导电端子于重布线结构上的正投影面积皆位于电路范围轮廓内。相邻第一导电端子之间具有第一间距。多个第二导电端子设置于第二表...

本公开总体涉及具有空气内部间隔件的纳米结构晶体管及其形成方法。一种方法包括形成层堆叠，该层堆叠包括多个半导体纳米结构和多个牺牲层。多个半导体纳米结构和多个牺牲层交替地布置。该方法还包括使多个牺牲层横向凹陷以形成横向凹部；在横向凹部中形成...

一种半导体器件，包括：设置在衬底上方的第一栅极结构。第一栅极结构沿第一方向延伸。第二栅极结构设置在衬底上方。第二栅极结构沿第一方向延伸。介电材料设置在第一栅极结构与第二栅极结构之间。气隙设置在介电材料内。本发明实施例涉及具有嵌入气隙的F...

提供一种裁切半导体晶片的方法。此方法包含裁切一半导体晶片，以形成一第一开口。此外，上述半导体晶片包含一切割胶带与通过一芯片贴合薄膜贴合于上述切割胶带的一基底，上述第一开口是形成于上述基底的一上部。此方法更包含从上述第一开口切穿上述半导体...

示例性形成半导体结构的方法包括在半导体台面上方形成具有半导体层堆叠件的半导体鳍。半导体堆叠件包括第一半导体层、第二半导体层，并且第一半导体层位于半导体台面和第二半导体层之间。该方法还包括形成与半导体台面相邻的隔离部件以及沿着半导体层堆叠...

一种封装组件，包括位于绝缘层中的第一导电部件；位于第一导电部件上方的介电层；位于介电层中的第二导电部件，其中第二导电部件在第一导电部件上方并且物理接触第一导电部件；环绕第二导电部件的空气间隔件，其中第二导电部件的多个侧壁暴露于空气间隔件...

本公开实施例提供具有侧壁间隔物的集成电路装置，以及具有此间隔物的集成电路装置的形成方法。在一些范例中，此方法包含接收工件，其包含基底和位于基底上的栅极堆叠。形成间隔物于栅极堆叠的侧表面上，间隔物包含低介电常数介电材料的间隔层。形成源极/...

本公开涉及半导体器件及其制造方法。在一种制造半导体器件的方法中，在设置在衬底之上的第一层间电介质(ILD)层中，形成第一导电图案和位于第一导电图案之上的第二导电图案。第二导电图案接触第一导电图案。通过去除第二导电图案的一部分以暴露出第一...