【技术实现步骤摘要】
集成电路装置及其形成方法
[0001]本申请为分案申请,其母案申请的申请号为201810384324.8,申请日为2018年4月26日,专利技术名称为“集成电路装置及其形成方法”。
[0002]本公开实施例涉及集成电路制造,且特别涉及具有侧壁间隔物的集成电路装置及其形成方法。
技术介绍
[0003]半导体集成电路(integrated circuit,IC)工业已经历快速的成长,在集成电路发展的过程中,随着几何尺寸(例如利用制造过程可以产生的最小元件或线)缩减的同时,功能密度(例如每一个芯片面积内互相连接的装置数量)通常也在增加。尺寸缩减工艺通常由增加生产效率和降低伴随的成本而提供好处。然而,这样的尺寸缩减也伴随着增加集成电路中的装置的设计和制造上的复杂度。在制造上并行的发展已经使得复杂度增加的设计以精准和可靠的方式制造。
[0004]举例而言,制造的发展已经不仅是缩减电路部件的尺寸,还缩减了部件之间的间隔。然而,即使这样的电路可以被制造出来,由于部件之间的间隔缩减可能会引发其他问题。在一例子中,紧密邻接的电路部件可能对另一个电路部件表现出电性效应,像是电容和杂讯,随着间隔缩减这些效应更恶化。低功率装置可能表现出对这些效应增加的敏感度,于是可能会限制其最小功率和最大效能。
技术实现思路
[0005]根据本公开的一些实施例,提供集成电路装置的形成方法,此方法包含接收工件,其包含基底和位于基底上的栅极堆叠;形成间隔物于栅极堆叠的侧面上,其中间隔物包含的间隔层具有低介电常数介电材料;形成源极 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种集成电路装置的形成方法,包括:接收一工件,其包含一基底和设置于该基底上的一栅极堆叠;形成一间隔物于该栅极堆叠的一侧面上;固化该间隔物以形成具有来自该固化的多个空隙的一固化的间隔物,其中该固化的间隔物包括具有一低介电常数介电材料的一间隔层,该低介电常数介电材料是介电常数为1至小于3.9的材料,其中该低介电常数介电材料包含一介电材料和一掺质,该掺质选自由一n型掺质和一p型掺质所组成的群组;形成一源极/漏极区于该基底内;以及形成一源极/漏极接点耦接至该源极/漏极区,其中该固化的间隔物的该间隔层设置于该源极/漏极接点与该栅极堆叠之间。2.如权利要求1所述的集成电路装置的形成方法,其中该低介电常数介电材料包含一多孔低介电常数介电材料。3.如权利要求2所述的集成电路装置的形成方法,其中形成该间隔物包含沉积一低介电常数介电前驱物和一成孔剂;且固化该间隔物以形成该固化的间隔物包含固化该低介电常数介电前驱物以形成该间隔物的该低介电常数介电材料。4.如权利要求3所述的集成电路装置的形成方法,其中:该接收的栅极堆叠包含一占位栅极电极;且在移除该占位栅极电极之后且在形成该栅极堆叠的功能栅极电极之前,进行该低介电常数介电前驱物的该固化。5.如权利要求3所述的集成电路装置的形成方法,其中固化该低介电常数介电前驱物包含施加紫外光辐射至该工件。6.如权利要求1所述的集成电路装置的形成方法,其中形成该间隔物包含:沉积该介电材料于该栅极堆叠上;以及在沉积该介电材料期间,原位注入该掺质。7.如权利要求1所述的集成电路装置的形成方法,其中形成该间隔物包含:沉积该介电材料于该栅极堆叠上;以及随后进行离子注入工艺于该工件上,以注入该掺质于该介电材料内。8.如权利要求1所述的集成电路装置的形成方法,其中固化该间隔物以形成该固化的间隔物包含加热该工件至温度介于350℃到450℃之间,且该固化发生于选自由惰性气体环境和真空环境所组成的群组的环境中。9.如权利要求1所述的集成电路装置的形成方法,其中固化该间隔物包含将该间隔物暴露于辐射50秒到150秒之间,该辐射具有介于150nm到250nm之间的一或多种波长。10.一种集成电路装置的形成方法,包括:接收一基底和设置于该基底上的一栅极堆叠;形成一侧壁间隔物于该栅极堆叠的一垂直侧面上,其中该侧壁间隔物包含一低介电常数介电前驱物,且该低介电常数介电前驱物包括选自由半导体氧化物、半导体氮化物、半导体氮氧化物、半导体碳化物和半导体碳氮氧化物所组成的群组的介电材料;固化该侧壁间隔物以形成一固化的侧壁间隔物,其中固化该侧壁间隔物包含固化该低
介电常数介电前驱物以形成该固化的侧壁间隔物的一低介电常数介电材料,该固化形成一孔隙于该低介电常数介电材料内,且该低介电常数介电材料是介电常数为1至小于3.9的材料;形成一源极/漏极接点相邻于该栅极堆叠,使得该固化的侧壁间隔物设置于该源极/漏极接点与该栅极堆叠之间;从该栅极堆叠移除一占位栅极电极;以及形成该栅极堆叠的一功能栅极电极,其中在移除该占位栅极电极之后且在形成该功能栅极电极之前进行该低介电常数介电前驱物的该固化。11.如权利要求10所述的集成电路装置的形成方法,其中该侧壁...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈彦廷,李威养,杨丰诚,陈燕铭,
申请(专利权)人:台湾积体电路制造股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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