半导体器件及其制造方法技术

本公开涉及半导体器件及其制造方法。在一种制造半导体器件的方法中，在设置在衬底之上的第一层间电介质(ILD)层中，形成第一导电图案和位于第一导电图案之上的第二导电图案。第二导电图案接触第一导电图案。通过去除第二导电图案的一部分以暴露出第一导电图案的一部分，来在第一ILD层中形成空间。用电介质材料填充该空间。在第二导电图案的剩余部分之上形成第三导电图案。通过图案化第二导电图案的剩余部分以作为蚀刻掩模，来形成连接第一导电图案和第三导电图案的过孔接触件。和第三导电图案的过孔接触件。和第三导电图案的过孔接触件。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其制造方法


[0001]本公开涉及半导体器件及其制造方法。

技术介绍

[0002]半导体器件(集成电路)包括具有布线图案的多个布线层和连接垂直相邻布线图案的过孔接触件，以实现复杂的电路功能。在半导体器件制造期间形成过孔接触件和金属布线时，需要改进的覆盖控制。镶嵌工艺(特别是双镶嵌工艺)广泛用于形成过孔接触件和金属布线。然而，仍然需要进一步改进布线层形成工艺以制造先进的半导体器件。

技术实现思路

[0003]根据本公开的一个方面，提供了一种制造半导体器件的方法，包括：在设置在衬底之上的第一层间电介质ILD层中，形成第一导电图案和位于所述第一导电图案之上的第二导电图案，所述第二导电图案接触所述第一导电图案；在所述第二导电图案之上形成第三导电图案；以及通过去除所述第二导电图案的未被所述第三导电图案覆盖的部分，来形成连接所述第一导电图案和所述第三导电图案的过孔接触件。
[0004]根据本公开的另一方面，提供了一种制造半导体器件的方法，包括：形成都在第一方向上延伸的第一下导电图案和第二下导电图案；在所述第一下导电图案上本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种制造半导体器件的方法，包括：在设置在衬底之上的第一层间电介质ILD层中，形成第一导电图案和位于所述第一导电图案之上的第二导电图案，所述第二导电图案接触所述第一导电图案；在所述第二导电图案之上形成第三导电图案；以及通过去除所述第二导电图案的未被所述第三导电图案覆盖的部分，来形成连接所述第一导电图案和所述第三导电图案的过孔接触件。2.根据权利要求1所述的方法，还包括：在形成所述第三导电图案之前，通过去除所述第二导电图案的一部分以暴露出所述第一导电图案的一部分，来在所述第一ILD层中形成空间；以及用电介质材料填充所述空间。3.根据权利要求2所述的方法，其中：所述第一导电图案和所述第二导电图案在第一方向上延伸，并且所述第三导电图案在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸。4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第一方向垂直于所述第二方向。5.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第一方向和所述第二方向形成范围从30度到60度的角度。6.根据权利要求1所述的方法，还包括：在所述第一导电图案的未形成过孔接触件的部分上形成第二ILD层。7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二导电图案由与所述第一导电图案不同的材料制成。8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二导电图案由与所述第三导电图案相同的材料制成。9.一种制造半导体器件的方法，包括：形成都在第一方向上延伸的第一下导...

【专利技术属性】
技术研发人员：张世明，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：