方法包括：在第一晶圆上形成第一介电层；以及形成穿透第一介电层的第一接合焊盘。第一晶圆包括第一半导体衬底，并且第一接合焊盘与第一半导体衬底的第一表面接触。方法还包括：在第二晶圆上形成第二介电层；以及形成延伸至第二介电层中的第二接合焊盘。第...

本公开总体涉及半导体器件及其制造方法。在一种制造半导体器件的方法中，在设置在衬底之上的第一层间电介质(ILD)层中形成第一导电图案，在第一导电图案和第一ILD层之上形成第二ILD层，在第二ILD层中形成过孔接触件以接触第一导电图案的上表...

提供了一种半导体器件结构。半导体器件结构包括衬底，衬底包括基部和在基部上方的鳍结构。鳍结构包括纳米结构。半导体器件结构包括在基底上方并环绕纳米结构缠绕的栅极堆叠件。栅极堆叠件具有上部和侧壁部分，上部在纳米结构上方，侧壁部分在纳米结构的第...

半导体器件结构包括设置在衬底上方的纳米结构。该结构还包括围绕纳米结构的栅极结构。该结构还包括设置在栅极结构的相对侧上方的内部间隔件。该结构还包括设置在纳米结构的相对侧上方的源极/漏极外延结构。内部间隔件与源极/漏极外延结构之间设置有气隙...

半导体器件包括设置在衬底上方的有源栅极金属结构，有源栅极金属结构具有彼此相对的第一侧壁和第二侧壁。该半导体器件包括以第一横向距离与有源栅极金属结构的第一侧壁相邻设置的第一源极/漏极区域。该半导体器件包括以第二横向距离与有源栅极金属结构的...

本发明的各个实施例针对用于金属

本发明的实施例提供了一种存储单元，包括存储电路和乘法电路。乘法电路包括被配置为输出输出信号的输出节点、第一晶体管和初始化电路。第一晶体管连接输出节点与存储电路，并且被配置为接收至少第二信号。初始化电路通过输出节点连接至第一晶体管，并且被...

本实用新型提供一种调整感测电流的电路及其内存组件。电路包括感测放大器、第一箝位电路、第二箝位电路以及回馈电路。第一箝位电路包括并联耦接于感测放大器与内存阵列之间的第一箝位分支。第二箝位电路包括并联耦接于感测放大器与参考阵列之间的第二箝位...

提供了一种半导体结构及其形成方法。半导体结构包括堆叠在衬底上方并且彼此间隔开的第一组纳米结构、堆叠在衬底上并且彼此间隔开的第二组纳米结构、邻接第一组纳米结构的第一源极/漏极部件、邻接第二组纳米结构的第二源极/漏极部件、着落在第一源极/漏...

提供了半导体器件结构和形成半导体器件结构的方法。该方法包括在衬底上方形成牺牲基层以及在牺牲基层上方形成半导体堆叠件。半导体堆叠件具有位于牺牲基层上方的第一半导体层、位于第一半导体层上方的牺牲层和位于牺牲层上方的第二半导体层；在形成外延源...

示例性半导体结构包括具有第一侧和第二侧的器件衬底。介电层设置在器件衬底的第一侧上方。通孔沿第一方向延伸穿过介电层并且穿过器件衬底从第一侧延伸至第二侧。保护环设置在介电层中和通孔周围。保护环包括沿第一方向堆叠的金属层。金属层包括第一侧壁和...

本申请的实施例提供了集成电路以及操作存储器中计算器件的方法。集成电路包括第一逻辑门，被配置为接收第一输入信号和第二输入信号，并基于在当前周期中获得的第一输入信号的第一位和第二输入信号的第一位生成第一控制信号。集成电路包括第一备份储存组件...

根据本申请的实施例，提供了一种存储器器件包括RRAM存储器单元，其被配置为形成0晶体管1电阻器(0T1R)阵列结构，其中RRAM存储器单元的存取晶体管被旁路或去除。替代地，RRAM存储器单元的存取晶体管可以以并联结构布置以减少相关联的I...

一些实施例涉及一种存储器器件及其形成方法。存储器器件包括：晶体管，具有第一源极/漏极(S/D)区和第二S/D区；第一S/D接触件，设置在第一S/D区上方，第一S/D接触件沿着第一方向纵向延伸；第二S/D接触件，设置在第二S/D区上方；第...

本申请的实施例提供了形成半导体器件的方法和半导体结构。根据本公开的形成半导体器件的方法包括接收工件，该工件包括设置在第一有源区域上方的第一栅极结构、设置在第二有源区域上方的第二栅极结构、沿着第一栅极结构的侧壁延伸并且至少部分地设置在第一...

半导体器件包括第一硅层。半导体器件包括嵌入在第一硅层中的多个第一埋氧层。半导体器件包括设置在多个第一埋氧层上方的第二硅层。多个第一埋氧层和第二硅层之间的垂直距离分别不同。本申请的实施例还涉及用于制造半导体器件的方法。器件的方法。器件的方法。

本申请的实施例公开了半导体器件、半导体结构和制造半导体结构的方法。半导体器件包括双极结型晶体管(BJT)结构，该BJT结构包括：位于具有第一导电类型的第一阱中的发射极、位于各自的第二阱中的集电极，第二阱具有与第一导电类型不同的第二导电类...

根据本发明的半导体器件结构包括金属

方法包括在封装件上方形成绝缘层。封装件具有随后形成开口的多个位置。在横跨封装件的位置的每个上逐个位置实施第一激光射击。第一激光射击的第一激光光斑与位置的每个重叠。第一激光射击去除绝缘层的位于第一激光光斑下方的第一部分。在横跨封装件的位置...

一种用于输入/输出(I/O)焊盘的静电放电(ESD)保护网络，包括驱动器堆栈，驱动器堆栈包括上分支和下分支，上分支电连接在具有第一参考电压的第一节点和I/O焊盘之间，下支路电连接I/O焊盘与具有第二参考电压的第二节点之间。第一ESD器件...