形成半导体器件的方法技术

方法包括在封装件上方形成绝缘层。封装件具有随后形成开口的多个位置。在横跨封装件的位置的每个上逐个位置实施第一激光射击。第一激光射击的第一激光光斑与位置的每个重叠。第一激光射击去除绝缘层的位于第一激光光斑下方的第一部分。在横跨封装件的位置的每个上逐个位置实施另一激光射击。另一激光射击的另一激光光斑与位置的每个重叠。另一激光射击去除绝缘层的位于另一激光光斑下方的另一部分。在横跨封装件的位置的每个上逐个位置重复实施另一激光射击多次，直至去除绝缘层的期望部分。本申请的实施例还涉及形成半导体器件的方法。法。法。

【技术实现步骤摘要】
形成半导体器件的方法


[0001]本申请的实施例涉及形成半导体器件的方法。

技术介绍

[0002]由于各种电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度不断提高，半导体工业经历了快速增长。在大多数情况下，集成密度的提高是由于最小部件尺寸的迭代减小，这允许更多组件集成至给定区域中。随着对缩小电子器件的需求不断增长，出现了对更小且更具创造性的半导体管芯封装技术的需求。这样的封装系统的实例是叠层封装(PoP)技术。在PoP器件中，顶部半导体封装件堆叠在底部半导体封装件的顶部上，以提供高水平的集成度和组件密度。PoP技术通常能够在印刷电路板(PCB)上生产具有增强功能和小覆盖区的半导体器件。

技术实现思路

[0003]本申请的一些实施例提供了一种形成半导体器件的方法，包括：在封装件上方形成绝缘层，其中，所述封装件具有随后形成开口的多个位置；在横跨所述封装件的所述位置的每个上逐个位置实施第一激光射击，其中，所述第一激光射击的第一激光光斑与所述位置的每个重叠，并且其中，所述第一激光射击去除所述绝缘层的位于所述第一激光光斑下方的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种形成半导体器件的方法，包括：在封装件上方形成绝缘层，其中，所述封装件具有随后形成开口的多个位置；在横跨所述封装件的所述位置的每个上逐个位置实施第一激光射击，其中，所述第一激光射击的第一激光光斑与所述位置的每个重叠，并且其中，所述第一激光射击去除所述绝缘层的位于所述第一激光光斑下方的第一部分；在横跨所述封装件的所述位置的每个上逐个位置实施另一激光射击，其中，所述另一激光射击的另一激光光斑与所述位置的每个重叠，并且其中，所述另一激光射击去除所述绝缘层的位于所述另一激光光斑下方的另一部分；以及在横跨所述封装件的所述位置的每个上逐个位置重复实施所述另一激光射击多次，直至去除所述绝缘层的期望部分。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一激光光斑与所述另一激光光斑完全重叠。3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一激光光斑与所述另一激光光斑部分重叠。4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述封装件包括位于所述多个位置中的多个焊盘。5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述第一激光光斑与所述焊盘的每个重叠。6.根据权利要求4所述的方法，其中，所述另一激光光斑与所述焊盘的每个重叠。7.根据权利要求4所述的方法，其中，所述开口的每个暴露相应的焊盘。8.一种形成半导体器件的方法，包括：形成封装件，所述封装件包括焊盘以及位于所述焊盘上方的绝缘层；以及对所述封装件实施激光序列以在所述绝缘层中形成开口，所述开口的每个暴露相应的焊盘，其中，实施所述激光序列包括：对所述封装件实施第一激光序列，其中，实施所述第一激光序列包括对所述焊盘的每个上方的所述绝缘层连续实...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑佳申，张家纶，裴浩然，林修任，谢静华，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：