集成电路(IC)、MIM电容器及其形成方法技术

本发明专利技术的各个实施例针对用于金属

【技术实现步骤摘要】
集成电路(IC)、MIM电容器及其形成方法


[0001]本申请的实施例涉及一种集成电路(IC)、用于MIM电容器及其形成方法。

技术介绍

[0002]集成电路(IC)形成在包括数百万或数十亿个晶体管的半导体管芯上。晶体管配置为用作开关和/或配置为产生功率增益以便启动逻辑功能。IC也包括用于控制增益、时间常数和其它IC特性的无源器件。一种类型的无源器件是金属
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绝缘体
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金属(MIM)电容器。

技术实现思路

[0003]本申请的一些实施例提供了一种金属
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绝缘体
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金属(MIM)电容器，包括：底部电极；绝缘层，位于所述底部电极上面；以及顶部电极，位于所述绝缘层上面；其中，所述底部电极包括晶体结构和位于所述晶体结构上面的非晶结构。
[0004]本申请的另一些实施例提供了一种集成电路(IC)，包括金属
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绝缘体
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金属(MIM)电容器，其中，所述金属
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绝缘体
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金属电容器包括：底部电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种金属
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绝缘体
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金属(MIM)电容器，包括：底部电极；绝缘层，位于所述底部电极上面；以及顶部电极，位于所述绝缘层上面；其中，所述底部电极包括晶体结构和位于所述晶体结构上面的非晶结构。2.根据权利要求1所述的金属
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绝缘体
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金属电容器，其中，所述晶体结构包括位于所述晶体结构的顶面处的多个柱状晶粒。3.根据权利要求1所述的金属
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绝缘体
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金属电容器，其中，所述晶体结构的厚度大于所述非晶结构的厚度。4.根据权利要求1所述的金属
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绝缘体
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金属电容器，其中，所述底部电极包括位于所述晶体结构和所述非晶结构之间并且直接接触所述晶体结构和所述非晶结构的原生氧化物层。5.根据权利要求1所述的金属
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绝缘体
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金属电容，其中，所述晶体结构和非晶结构是相同的材料。6.根据权利要求1所述的金属
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绝缘体
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金属电容器，其中，所述晶体结构是钛，并且其中，所述非晶结构是氮化钛。7.根据权利要求1所述的金属
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绝缘体
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【专利技术属性】
技术研发人员：林杏莲，朱瑞霖，蔡正原，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：