本发明的实施例提供了一种集成电路包括基于一种或多种III

方法包括在半导体鳍周围形成隔离区域；在半导体鳍上方形成栅极结构；在邻近栅极结构的半导体鳍中形成源极/漏极区域；沉积覆盖隔离区域、栅极结构、半导体鳍和源极/漏极区域的金属材料；在金属材料中蚀刻开口，每个开口暴露隔离区域，其中金属材料保留在...

本申请的实施例提供了存储器器件及其制造方法。具有3D结构的存储器器件为MFMIS

本申请的实施例提供了计算器件、存储器接口电路及其方法。存储器接口电路包括指令解码器，指令解码器被配置为从处理器接收指令以生成对应的控制码。执行电路被配置为接收来自指令解码器的控制码，并且根据控制码存取存储器并生成算术结果。并生成算术结果...

本文描述了半导体器件和制造半导体器件的方法。方法包括形成穿过介电层的第一开口，该第一开口暴露导电区域。在形成第一开口之后使用湿清洁，并且在湿清洁第一开口之后处理第一开口，处理第一开口包括将侧壁处理前体和底部处理前体转变为第一等离子体混合...

本发明的实施例提供了一种形成封装件的方法，包括将第一晶圆接合至第二晶圆，在第一晶圆上执行修整工艺，以及沉积与第一晶圆的侧壁接触的侧壁保护层。沉积侧壁保护层包括沉积与第一晶圆的侧壁接触的高密度材料。侧壁保护层具有高于氧化硅的密度。方法还包...

本发明的实施例提供了存储器器件及其形成方法。存储器器件包括源极区、漏极区、沟道区、栅极介电层、MTJ堆叠件和金属栅极。源极区和漏极区位于衬底上方。沟道区位于源极区和漏极区之间。栅极介电层位于沟道区上方。MTJ堆叠件位于栅极介电层上方。M...

本发明的实施例公开了一种存储器器件以及操作存储器器件的方法。本文所公开的实施例涉及在从休眠状态转换到操作状态时降低存储器器件的功耗。在一个方面，存储器器件包括用于储存数据的存储器单元。在一个方面，存储器器件包括输出驱动器，其被配置为：响...

提供了一种磁阻随机存取存储器(MRAM)器件及确定其外部磁场和影响的方法。MRAM器件包括主磁隧道结(MTJ)阵列和参考MTJ阵列，主磁隧道结(MTJ)阵列包括被配置为储存存储器数据的多个存储器单元，参考MTJ阵列包括具有MTJ结构的多...

在实施例中，一种方法包括：加热极紫外源的副产物运输环，副产物运输环设置在极紫外源的叶片下方；在加热副产物运输环第一持续时间后，加热叶片；加热叶片后，冷却叶片；在冷却叶片第二持续时间后，冷却副产物运输环。本申请的实施例提供了光刻仪器和方法...

提供了半导体器件结构。半导体器件结构包括在垂直方向上堆叠在衬底上方的多个第一纳米结构。半导体器件结构包括围绕第一纳米结构的栅极结构，以及与栅极结构相邻的S/D结构。半导体器件结构还包括形成在栅极结构和S/D结构之间的内部间隔件层，以及形...

本发明的实施例提供了一种半导体器件，包括设置在衬底上方的第一层间介电(ILD)层、设置在第一ILD层上方且包含硅和氧的控制层、以及设置在控制层上方的电阻布线。控制层的氧浓度大于第一ILD层的氧浓度。本发明的实施例还提供了一种制造半导体器...

在实施例中，半导体器件包括：第一绝缘鳍；第二绝缘鳍；位于第一绝缘鳍与第二绝缘鳍之间的纳米结构；以及包裹在纳米结构周围的栅极结构，栅极结构的顶表面设置在第一绝缘鳍的顶表面之上，栅极结构的顶表面设置在第二绝缘鳍的顶表面之下。本发明的实施例还...

本申请提供了半导体器件及其形成方法。一种形成半导体器件的方法包括：在半导体衬底的第一侧的有源区域之上形成第一膜，并在与半导体衬底的第一侧相反的半导体衬底的第二侧之上形成第二膜；应用化学机械抛光以去除第二膜的至少一部分；在化学机械抛光后，...

根据本公开的半导体器件结构包括钝化层、设置在钝化层上的第一导体板层、设置在第一导体层上的第二导体板层、设置在第二导体层上的第三导体板层以及设置在第三导体层上的第四导体板层。第二导体板层包围第一导体板层，第四导体板层包围第三导体板层。该器...

方法包括：形成突出高于隔离区域的突出半导体鳍；在突出半导体鳍的第一部分上形成栅极堆叠件；使突出半导体鳍的第二部分凹进以在鳍间隔件之间形成凹槽；以及从凹槽形成外延区域。外延区域的形成包括：生长具有第一掺杂浓度的第一外延层；以及在第一外延层...

本公开涉及激光装置及其使用方法。本文所述的一些实施方式提供了一种激光装置。该激光装置包括所述激光装置的第一部分，位于所述激光装置的近端，所述第一部分包括一个或多个光学器件，其中，所述第一部分被配置为发射具有第一波长的第一电磁波。该激光装...

本公开涉及集成电路装置以及制造集成电路装置的方法。将磁阻随机存取存储器单元区块以及用于磁阻随机存取存储器单元区块的磁遮蔽结构整合到集成电路装置的金属互连内。磁遮蔽结构可由具有包括磁遮蔽材料的导线以及导孔的金属化层以及导孔层提供。磁遮蔽材...

根据本申请的实施例，提供了半导体结构及其形成方法。根据本公开的半导体结构包括：衬底，包括第一区域和与第一区域相邻的第二区域；第一鳍，设置在第一区域上方；第二鳍，设置在第二区域上方；第一源极/漏极部件，设置在第一鳍上方；第二源极/漏极部件...

公开了半导体器件及其制造方法。制造方法包括：图案化衬底的顶部，从而形成从衬底凸出的鳍状结构；形成跨越鳍状结构的伪栅极结构，伪栅极结构位于鳍状结构的第一部分和第二部分的正上方，从而限定具有第一宽度和第二宽度的沟道区；利用伪栅极结构作为蚀刻...