在实施例中，形成半导体器件的方法包括：在半导体部件的沟道区域上形成栅极介电层；在栅极介电层上沉积功函数调整层，功函数调整层包括第一功函数调整元素；通过原子层沉积在功函数调整层上沉积覆盖层，覆盖层由氧化物或氮化物形成；在覆盖层覆盖功函数调...

本发明的实施例提供了集成电路器件、存储器阵列以及存储器单元操作方法。集成电路(IC)器件包括第一端子、第二端子、被配置为在第一状态下具有第一电阻水平并且在第二状态下具有第二电阻水平的电阻式存储器器件、以及包括控制端子和电流路径的开关器件...

用于形成半导体器件结构的方法包括：形成堆叠在衬底上方的交替的第一半导体层和第二半导体层。方法也包括：蚀刻第一半导体层和第二半导体层以形成鳍结构。方法也包括：氧化第一半导体层以形成第一半导体层的第一氧化部分；以及氧化第二半导体层以形成第二...

本申请的实施例提供了一种半导体器件及其形成方法。形成半导体器件的方法包括：在衬底上方形成互连结构；在互连结构上方形成蚀刻停止层；在蚀刻停止层上形成第一多层结构，包括：在蚀刻停止层上形成第一导电层；利用等离子体工艺处理第一导电层的上层；在...

制造半导体器件的方法包括在衬底上方交替堆叠第一半导体层和第二半导体层，将第一半导体层和第二半导体层图案化为鳍结构，横跨鳍结构形成介电层，以及去除鳍结构的第一半导体层，从而在鳍结构的第二半导体层之间形成间隙。该方法还包括沉积第一金属层以包...

提供具有双侧密封环的半导体结构。根据本发明的半导体结构包括：包括器件区域和围绕器件区域的环形区域的衬底；设置在衬底上方并且包括前侧互连区域和前侧密封环区域的前侧互连结构；以及设置在衬底之下并且包括背侧互连区域和背侧密封环区域的背侧互连结...

本公开涉及一种集成芯片结构及其形成方法。集成芯片结构包括设置在衬底上方的介电结构内的底部电极。顶部电极设置在底部电极上方的介电结构内。转换层和离子源层位于底部电极和顶部电极之间。阻挡结构位于底部电极和顶部电极之间。阻挡结构包括金属氮化物...

本申请提供了晶体管源极/漏极接触件及其形成方法。一种方法包括：在源极/漏极区域之上沉积层间电介质(ILD)；形成贯通ILD的接触开口，其中，接触开口暴露源极/漏极区域；在被暴露的源极/漏极区域上形成金属

本发明的实施例提供了形成互连结构的方法包括在衬底上方沉积介电层，以及蚀刻介电层以形成开口并且暴露介电层下面的第一导电部件。使用其中包括氮的前体形成介电层。方法还包括沉积延伸到开口中的牺牲间隔件层，以及图案化牺牲间隔件层以去除牺牲间隔件层...

提供了用于形成半导体器件结构的方法。半导体器件结构包括多个第一纳米结构，其沿着垂直方向堆叠在衬底上方。半导体器件结构还包括：第一底层，其形成为邻接第一纳米结构；以及第一介电衬垫层，其形成在第一底层上方，并且邻接第一纳米结构。半导体器件结...

晶体管(例如，TFT)包括：源极区域和漏极区域，位于绝缘基质层内；U形沟道极板，接触源极区域和漏极区域的侧壁；U形栅极电介质，接触U形半导体金属氧化物极板的内侧壁；以及栅电极，接触U形栅极电介质的内侧壁。本申请的实施例还涉及半导体器件及...

本发明实施例提供了半导体结构及其形成方法。可以在衬底上方形成多个垂直堆叠件。每个垂直堆叠件从底部到顶部包括底部电极、介电柱和顶部电极。可以在多个垂直堆叠件上方形成连续的有源层和栅极介电层。牺牲间隔件形成在多个垂直堆叠件周围。通过用介电填...

本发明的实施例提供了一种集成芯片，包括衬底；下部介电结构，位于衬底上方；互连件，位于下部介电结构内；蚀刻停止层，位于下部介电结构上方；层间介电层，位于蚀刻停止层上方；一个或多个开口，延伸穿过层间介电层和蚀刻停止层；存储器单元，包括设置在...

提供了形成半导体结构的方法和半导体结构。根据本发明的方法包括：在衬底上方形成包括与多个牺牲层交错的多个沟道层的鳍形结构；使鳍形结构的源极/漏极区域凹进，以形成延伸至衬底中并且暴露衬底的部分的源极/漏极凹槽；选择性并且部分使多个牺牲层的侧...

一种半导体装置、半导体晶粒、和制造半导体晶粒的方法，半导体装置包含：一源极、和在第一方向与源极分隔开的漏极。通道层设置于在正交于第一方向的第二方向在源极和漏极的径向外表面上。记忆体层设置在通道层的径向外表面上。导孔设置在漏极的轴向端处，...

本发明的实施例提供了一种形成集成电路器件的方法，包括：蚀刻半导体衬底以形成：第一半导体带和第二半导体带；第一凹槽将第一半导体带与第二半导体带隔开；第二凹槽，其中，第一凹槽和第二凹槽位于第一半导体带的相对两侧；形成硬掩模，包括：垂直部分，...

一种光罩检测及清洁工具，包含一光罩检测工具、一光罩清洁工具、一机械臂、一影像分析器及一清洁控制器。该光罩检测工具设置于微影工具外部。该光罩清洁工具设置于该微影工具外部。该机械臂设置于该微影工具外部。机械臂的运动范围足以在该微影工具的一载...

方法包括：形成从衬底突出的半导体鳍；横跨半导体鳍形成伪栅极结构；使半导体鳍的位于与伪栅极结构相邻的区域中的部分凹进以形成凹槽；在凹槽中生长半导体层；以及形成介于半导体层和伪栅极结构之间的第一介电层。半导体层覆盖第一介电层的至少部分。方法...

一种存储器电路包括全局控制电路、第一局部控制电路和第一组字线后解码器电路，第一组字线后解码器电路耦合到被配置为储存第一组数据的第一组存储器单元。全局控制电路被配置为生成生成第一组全局预解码器信号、第二组全局预解码器信号和第一组局部地址信...

本文公开了用于提供具有改善的轮廓(例如，最小至没有翘曲、弯曲、弓形和颈缩和/或基本上垂直的侧壁)的栅极堆叠件和/或栅极结构(例如，高k/金属栅极)的栅极制造技术，其可以在各种器件类型中实现。例如，本文公开的栅极制造技术提供具有应力处理胶...