本发明的实施例提供了一种形成集成电路器件的方法，包括：蚀刻半导体衬底以形成：第一半导体带和第二半导体带；第一凹槽将第一半导体带与第二半导体带隔开；第二凹槽，其中，第一凹槽和第二凹槽位于第一半导体带的相对两侧；形成硬掩模，包括：垂直部分，...

一种光罩检测及清洁工具，包含一光罩检测工具、一光罩清洁工具、一机械臂、一影像分析器及一清洁控制器。该光罩检测工具设置于微影工具外部。该光罩清洁工具设置于该微影工具外部。该机械臂设置于该微影工具外部。机械臂的运动范围足以在该微影工具的一载...

方法包括：形成从衬底突出的半导体鳍；横跨半导体鳍形成伪栅极结构；使半导体鳍的位于与伪栅极结构相邻的区域中的部分凹进以形成凹槽；在凹槽中生长半导体层；以及形成介于半导体层和伪栅极结构之间的第一介电层。半导体层覆盖第一介电层的至少部分。方法...

一种存储器电路包括全局控制电路、第一局部控制电路和第一组字线后解码器电路，第一组字线后解码器电路耦合到被配置为储存第一组数据的第一组存储器单元。全局控制电路被配置为生成生成第一组全局预解码器信号、第二组全局预解码器信号和第一组局部地址信...

本文公开了用于提供具有改善的轮廓(例如，最小至没有翘曲、弯曲、弓形和颈缩和/或基本上垂直的侧壁)的栅极堆叠件和/或栅极结构(例如，高k/金属栅极)的栅极制造技术，其可以在各种器件类型中实现。例如，本文公开的栅极制造技术提供具有应力处理胶...

一种用于制造半导体器件的方法包括提供具有衬底、位于衬底上方的半导体沟道层、位于半导体沟道层上方的界面氧化物层以及位于界面氧化物层上方的高k栅极介电层的结构，其中，半导体沟道层包括锗。该方法还包括在高k栅极介电层上方形成金属氮化物层并使用...

在实施例中，一种器件包括：隔离区，位于衬底上；第一半导体鳍，突出于隔离区上方；第一栅极电介质，位于第一半导体鳍的第一沟道区的，第一栅极电介质包括第一界面层和第一高k介电层；第二半导体鳍，突出于隔离区上方；第二栅极电介质，位于第二半导体鳍...

公开了包括鳍形隔离结构的半导体器件及其形成方法。在实施例中，半导体器件包括：鳍，从半导体衬底延伸；浅沟槽隔离(STI)区域，位于与鳍相邻的半导体衬底上方；以及介电鳍结构，位于STI区域上方，介电鳍结构在平行于鳍的方向上延伸，介电鳍结构包...

本申请的实施例提供了一种存储器器件及其操作方法，存储器器件包括静态随机存取存储器，静态随机存取存储器包括两个交叉耦合的反相器和具有连接到字线的栅极的存取晶体管。存储器器件进一步包括电耦合到静态随机存取存储器的一个或多个逻辑门，以及电耦合...

本申请公开了具有帽盖层的极紫外掩模。极紫外(EUV)掩模包括衬底、位于衬底上的反射多层堆叠和位于反射多层堆叠上的多层帽盖特征。多层帽盖特征包括第一帽盖层和第二帽盖层，第一帽盖层包括包含具有第一碳溶解度的元素的材料，第二帽盖层包括包含具有...

根据一些实施例提供了半导体器件。半导体器件包括设置在沟道区上方的界面层、设置在沟道区上方的栅极介电结构、以及设置在栅极介电结构上方的栅电极。栅极介电结构包括设置在界面层上方的第一金属的氧化物的第一层和设置在第一层上方的第二金属的氧化物或...

提供了一种半导体器件及其形成方法。一种方法包括在衬底上形成鳍结构。鳍结构包括交替堆叠的多个第一纳米结构和多个第二纳米结构。沿着鳍结构的侧壁和顶表面形成虚设栅极。使鳍结构的被虚设栅极暴露的部分凹陷，以形成第一凹部。在第一凹部中形成外延源极...

本公开涉及晶体管隔离区域及其形成方法。在一个实施例中，一种器件包括：第一源极/漏极区域；第一绝缘鳍，位于所述第一源极/漏极区域之间，所述第一绝缘鳍包括第一下绝缘层和第一上绝缘层；第二源极/漏极区域；以及第二绝缘鳍，位于所述第二源极/漏极...

本发明的实施例提供了半导体封装件及其形成方法。该半导体封装件包括具有第一衬底的第一中介层、在第一衬底的第一侧上方的第一再分布结构、以及在第一再分布结构上方并且靠近第一中介层的第一侧的第一波导，其中第一再分布结构位于第一衬底与第一波导之间...

提供了半导体结构和形成方法。半导体结构包括彼此分隔开并且堆叠在衬底上方的纳米结构，环绕所述纳米结构的栅极堆叠件；以及通过所述栅极堆叠件与所述纳米结构横向间隔开的介电鳍结构。其中，介电鳍结构包括内衬层和位于内衬层上的填充层，其中，内衬层位...

公开了制造半导体器件的方法以及由该方法形成的半导体器件。在实施例中，方法包括在半导体衬底上方形成第一介电层；在第一介电层上方形成第一硬掩模层；蚀刻第一硬掩模层以形成暴露第一介电层的顶表面的第一开口；对第一介电层的顶表面和第一硬掩模层的顶...

提供了集成电路(IC)结构及其形成方法。根据本发明的IC结构包括衬底、位于衬底上方的互连结构、设置在互连结构中的保护环结构、垂直延伸穿过保护环结构的通孔结构、以及设置在保护环结构和通孔结构正上方并且接触保护环结构和通孔结构的顶部金属部件...

本发明的实施例涉及封装件及其形成方法。该方法包括将III

本发明的实施例涉及半导体器件及其制造方法。半导体器件包括栅极结构、n型源极/漏极部件、p型源极/漏极部件、NFET沟道和PFET沟道。栅极结构在衬底上方。n型源极/漏极部件分别位于栅极结构的相对的第一侧和第二侧处。p型源极/漏极部件分别...

本公开涉及金属栅极鳍电极结构及方法。实施例提供了一种FinFET或纳米FET中的替换金属栅极，其使用导电金属填充物。导电金属填充物具有上表面，该上表面具有可以用于自对准接触件的鳍形。件的鳍形。件的鳍形。